Индуктивные компоненты | Дроссели, индуктивности - ПромСнабЭлектро, Миасс
 

тел/факс: (3513) 54-59-91
(3513) 54-51-27 (3513) 52-75-10

 
 456318, Челябинская обл,
г.Миасс, бул. Полетаева, д 7, оф.1
тел/факс: (3513) 54-59-91
тел: 54-51-27, 52-75-10

ВАШ ЗАКАЗ:
В листе заказа 0 позиции(й)

 
 КАТАЛОГ
ГлавнаяО компанииКонтактыНовостиПроизводителиДокументыПравила работы
 
 Промышленная мебельПаяльное оборудованиеЭлектроникаЭлектрика

Электроника и промышленное оборудование

АкустикаБеспроводное оборудованиеГотовые изделияДатчикиДиодыЗащита цепейИзмерительные приборыИндуктивные компонентыИсточники питанияКварцы, осцилляторы, фильтрыКонденсаторыМикросхемыОптоэлектроникаОсвещениеПаяльное оборудованиеПереключателиПромышленная автоматизацияРазъемы, СоединителиРезисторыРелеСредства разработки, конструкторыТранзисторыУслуги, реклама, разноеЭлектромеханические компоненты




Каталог

Индуктивные компоненты, Дроссели, индуктивности

Каталог электронных компонентов

Датчики тока
Дроссели, индуктивности
Сердечники и аксессуары
Трансформаторы



Поиск позволяет отобрать детальные предложения от большего числа поставщиков.
НаименованиеКорпусПроизводствоИнфоЦена базоваяСкладСрок поставкиЗаказ
74479887222C SMD 2.5*2Wuerth13.31 заказ
AL0307 121K 3*7YAGEOРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)2.15 >10003-4 дня
AL0307 1R0K 3*7YAGEOРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)2.52 заказ
AL0307 561K 3*7YAGEOРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)0.62 >10003-4 дня
AL0307 6R8K 3*7YAGEOРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)2.23 100..10003-4 дня
AL0307 821K 3*7YAGEOРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)1.11 100..10003-4 дня
AL0307 R10K 3*7YAGEOРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)0.84 >10003-4 дня
AL0307ST-100K-N-B 3*7CHILISINРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)5.02 заказ
AL0307ST-101K-N-B 3*7CHILISINРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)2.41 >10003-4 дня
AL0307ST-221K-N-B 3*7CHILISINРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)5.21 заказ
AL0307ST-2R2K-N-B 3*7CHILISINРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)2.77 заказ
AL0307ST-680K-N-B 3*7YAGEOРадиочастотный дроссель, аксиальные выводы (3х7mm)1.00 заказ
B78108S1103K 4*9.2EPCOS10мкГн 680мА ?10% 4x9,2мм аксиальный выводы9.56 >10003-4 дня
B78108S1104J 4*9.2EPCOS100мкГн 370мА ?5% 4x9,2мм аксиальный выводы9.80 >10003-4 дня
B78108S1105J 4*9.2EPCOSАксиальная индуктивность 1mH 5% 100KHz 50Q-Factor Ferrite 130mA 14Ohm DCR AXL Automotive T/R5.08 >10003-4 дня
B78108S1155J 4*9.2EPCOSАксиальная индуктивность 1.5mH 5% 100KHz 50Q-Factor Ferrite 100mA 23Ohm DCR AXL Automotive T/R (4x9,12.28 >10003-4 дня
B78108S1224J 4*9.2EPCOSАксиальная индуктивность 220uH 5% 100KHz 70Q-Factor Ferrite 250mA 3.3Ohm DCR AXL Automotive T/R (4x910.38 >10003-4 дня
B78108S1225J 4*9.2EPCOSАксиальная индуктивность 2.2mH 5% 100KHz 40Q-Factor Ferrite 80mA 34.7Ohm DCR AXL Automotive T/R (4x96.54 >10003-4 дня
B78108S1334J 4*9.2EPCOSАксиальная индуктивность 330uH 5% 100KHz 70Q-Factor Ferrite 190mA 6.4Ohm DCR AXL Automotive T/R (4x911.37 >10003-4 дня
B78108S1473J 4*9.2EPCOSАксиальная индуктивность 47uH 5% 100KHz 45Q-Factor Ferrite 450mA 1.1Ohm DCR AXL Automotive T/R (4x9,10.54 >10003-4 дня
B78108S1475J 4*9.2EPCOSАксиальная индуктивность 4.7mH 5% 100KHz 35Q-Factor Ferrite 55mA 78Ohm DCR AXL Automotive T/R (4x9,210.44 >10003-4 дня
B78108S1562K000 4*9.2EPCOS5.6мкГн ?10% 780мА 4x9,2мм аксиальный выводы12.89 заказ
B78108T1103K 3*7EPCOS10мкГн 230мА ?10% 3,3x7мм аксиальный выводы6.70 >10003-4 дня
B82111E0000C022 EPCOS22мкГн ?20% 3A акксиальные выводы / дла силовых линий / лента в катушке28.83 100..10003-4 дня
B82144A2103K 5.2*12EPCOSАксиальная индуктивность 10uH 10% 1MHz 60Q-Factor Ferrite 1.4A 220mOhm DCR AXL Automotive T/R (5,2x117.28 >10003-4 дня
B82144A2104J 5.2*12EPCOSАксиальная индуктивность 100uH 5% 100KHz 50Q-Factor Ferrite 600mA 700mOhm DCR AXL Automotive T/R (5,12.75 >10003-4 дня
B82144A2105J 5.2*12EPCOSАксиальная индуктивность 1mH 5% 100KHz 60Q-Factor Ferrite 200mA 3.8Ohm DCR AXL Automotive T/R (5,2x117.62 >10003-4 дня
B82144A2223K 5.2*12EPCOSАксиальная индуктивность 22uH 10% 100KHz 50Q-Factor Ferrite 1.1A 350mOhm DCR AXL Automotive T/R (5,218.14 >10003-4 дня
B82144A2474J 5.2*12EPCOSАксиальная индуктивность 470uH 5% 100KHz 40Q-Factor Ferrite 280mA 2.5Ohm DCR AXL Automotive T/R (5,216.33 >10003-4 дня
B82145A1155J EPCOSRF Choke Drum Core 1.5mH 5% 100KHz 60Q-Factor Ferrite 300mA 5.4Ohm DCR AXL T/R (6,5x12mm)21.97 >10003-4 дня
B82145A1225J EPCOSRF Choke Drum Core 2.2mH 5% 100KHz 60Q-Factor Ferrite 250mA 8Ohm DCR AXL T/R (6,5x12mm)30.02 заказ
B82422A1102K100 1210EPCOSInductor Chip Molded Wirewound 1uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 380mA 340mOhm DCR 1210 Automotive T/R10.73 >10003-4 дня
B82422A1103K100 1210EPCOSInductor Chip Molded Wirewound 10uH 10% 1MHz 27Q-Factor Ferrite 180mA 1.6Ohm DCR 1210 Automotive T/R17.37 >10003-4 дня
B82422A1104K100 1210EPCOSInd Molded 100uH 10% 100KHz 27Q-Factor Ferrite 65mA 1210 Blister T/R12.42 >10003-4 дня
B82422A1222K100 1210EPCOSInd Molded 2.2uH 10% 1MHz 25Q-Factor Ferrite 270mA 1210 Blister T/R11.27 >10003-4 дня
B82422A1223K100 1210EPCOSInductor Chip Molded Wirewound 22uH 10% 100KHz 27Q-Factor Ferrite 140mA 2.65Ohm DCR 1210 Automotive11.52 >10003-4 дня
B82422A1333K100 1210EPCOSInd Molded 33uH 10% 100KHz 27Q-Factor Ferrite 105mA 1210 Blister T/R10.47 >10003-4 дня
B82422A1472K100 1210EPCOSInductor Chip Molded Wirewound 4.7uH 10% 1MHz 27Q-Factor Ferrite 150mA 2.2Ohm DCR 1210 Automotive Bl11.76 100..10003-4 дня
B82422A1473K100 1210EPCOSInd Molded 47uH 10% 100KHz 27Q-Factor Ferrite 85mA 1210 Blister T/R11.78 >10003-4 дня
B82422A1682K100 1210EPCOSInductor Chip Molded Wirewound 6.8uH 10% 1MHz 27Q-Factor Ferrite 135mA 2.8Ohm DCR 1210 Automotive T/14.55 >10003-4 дня
B82422A1683K100 1210EPCOSInductor Chip Molded Wirewound 68uH 10% 100KHz 27Q-Factor Ferrite 80mA 7.7Ohm DCR 1210 Automotive T/11.76 >10003-4 дня
B82422A1822K100 1210EPCOSInductor Chip Molded Wirewound 8.2uH 10% 1MHz 27Q-Factor Ferrite 130mA 3Ohm DCR 1210 Automotive T/R11.78 >10003-4 дня
B82422A3101K100 1210EPCOSInductor Chip Molded Wirewound 100nH 10% 10MHz 25Q-Factor Ceramic 440mA 260mOhm DCR 1210 Automotive11.78 заказ
B82422T1102J 1210EPCOSSMD индуктивность / для сигнальных линий / на ферритовом сердечнике / 1210 ## 1uH 400 mA 5%18.95 >10003-4 дня
B82422T1151J 1210EPCOSКатушки постоянной индуктивности SMT-INDUCTOR 1210 0.15UH 5%14.22 100..10003-4 дня
B82422T1221J 1210EPCOSКатушки постоянной индуктивности SMT-INDUCTOR 1210 0.22UH 5%14.24 100..10003-4 дня
B82422T1331J 1210EPCOSКатушки постоянной индуктивности SMT-INDUCTOR 1210 0.33UH 5%11.33 >10003-4 дня
B82422T1471J 1210EPCOSКатушки постоянной индуктивности SMT-INDUCTOR 1210 0.47UH 5%14.10 100..10003-4 дня
B82422T1473K EPCOS12.80 заказ
B82422T1821J EPCOS19.07 заказ
B82432A1103K 1812EPCOSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 10uH 10% 1MHz 45Q-Factor Ferrite 320mA 980mO23.76 >10003-4 дня
B82432A1104K 1812EPCOSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 100KHz 40Q-Factor Ferrite 145mA 4.23.77 >10003-4 дня
B82432A1154K 1812EPCOSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 150uH 10% 100KHz 35Q-Factor Ferrite 130mA 6.25.82 заказ
B82432A1272K 1812EPCOSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 2,7uH 10% 1MHz 30Q-Factor Ferrite 450mA 0.4945.47 заказ
B82432A1332K 1812EPCOSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 3.3uH 10% 1MHz 30Q-Factor Ferrite 425mA 550m26.04 >10003-4 дня
B82432A1333K 1812EPCOSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 33uH 10% 100KHz 45Q-Factor Ferrite 230mA 1.825.09 заказ
B82432A1473K 1812EPCOSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 47uH 10% 100KHz 40Q-Factor Ferrite 210mA 2.334.07 заказ
B82432C1223K 1812EPCOS22мкГн 10% 260мА Qфактор (миним.)-30 # 1812-С / для сигнальных линий / высокий показатель добротност29.21 заказ
B82432T1103K EPCOS29.81 заказ
B82432T1104K 1812EPCOSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 200mA 3.25.17 заказ
B82432T1222K 1812EPCOSSIMID индуктивность / для сигнальных линий / на ферритовом сердечнике / 1812-T ## 2.2uH 1000mA 10%27.89 заказ
B82432T1333K 1812EPCOSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 33uH 10% 2.52MHz 10Q-Factor Ferrite 400mA 1.38.26 заказ
B82432T1824K EPCOS34.61 заказ
B82442H1103K 2220EPCOSSMD индуктивность 2220 10uH 1000mA 0.168ohms39.54 10..1003-4 дня
B82442H1224K 2220EPCOSSMD индуктивность 2220 220uH Ir=240mA 2.72 Ohms49.13 заказ
B82462G4104M SMD 6.3*6.EPCOS100мкГн ?20% 0.53A 6.3 x 6.3x3.0мм SMD индуктивность / для силовых линий / лента в катушке38.02 100..10003-4 дня
B82464G2474M EPCOS84.28 заказ
B82464G4103M SMD 10.4*1EPCOSКатушка 10uH 3.4A 10.4x10.4x4.8mm для силовых линий65.61 заказ
B82464G4104M SMD 10.4*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 100uH Ir =1.05А Isat=1.15А Rdc=0.220Ом88.05 >10003-4 дня
B82464G4153M SMD 10.4*1EPCOSSMD индуктивность / для силовых линий / ферритовый сердечник / size 10.4 х 10.4 х 4.8 мм ## 15uH 265.30 >10003-4 дня
B82464G4222M SMD 10.4*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 2.2uH Ir=6.5A, Isat=7 A Rdc=10mOhm65.76 100..10003-4 дня
B82464G4334M SMD 10.4*1EPCOSSMD индуктивность / для силовых линий / ферритовый сердечник / size 10.4 х 10.4 х 4.8 мм ## 330uH 81.51 100..10003-4 дня
B82464G4472M SMD 10.4*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 4.7uH Ir=4.9A, Isat=5.2 A Rdc=15mOhm96.73 заказ
B82464G4473M SMD 10.4*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 47uH Ir=1.55A, Isat=1.8 A Rdc=95mOhm83.83 заказ
B82472G6103M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 10uH ?20%, 1.9A, 53mOm56.55 100..10003-4 дня
B82472G6105M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 1000uH ?20%, 0.2A, 3.85Om49.18 100..10003-4 дня
B82472G6153M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 15uH ?20%, 1.53A, 80mOm57.05 100..10003-4 дня
B82472G6154M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 150uH ?20%, 0.53A, 58mOm49.18 100..10003-4 дня
B82472G6222M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 2.2uH ?20%, 3A, 20mOm44.32 >10003-4 дня
B82472G6223M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 22uH ?20%, 1.45A, 91mOm57.05 100..10003-4 дня
B82472G6332M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 3.3uH ?20%, 2.85A, 23mOm39.68 100..10003-4 дня
B82472G6472M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 4.7uH ?20%, 2.5A, 30mOm56.62 100..10003-4 дня
B82472G6473M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 47uH ?20%, 1A, 20mOm49.18 100..10003-4 дня
B82472G6474M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 470uH ?20%, 0.29A, 2Om49.18 100..10003-4 дня
B82472G6682M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 6.8uH ?20%, 2.15A, 40mOm26.85 100..10003-4 дня
B82472G6683M SMD 7.3*7.EPCOSSMD индуктивность экранированная 68uH ?20%, 0.82A, 26mOm49.18 100..10003-4 дня
B82475M1154K SMD 10.4*1EPCOSSMD индуктивность 150uH 0.78A 10.4 x10.0x 5.8mm54.28 100..10003-4 дня
B82476A1104M SMD 12.95*EPCOSSMD индуктивность 100uH 1,3A 12.95 x 9.4 x 5.08mm40.81 заказ
B82477G4103M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 10uH ?20%, 5.4A, 22mOm50.22 100..10003-4 дня
B82477G4104M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 100uH ?20%, 1.7A, 165mOm50.22 100..10003-4 дня
B82477G4105M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 1000uH ?20%, 0.55A, 1.68Om50.28 >10003-4 дня
B82477G4153M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 15uH ?20%, 4.5A, 27mOm50.22 100..10003-4 дня
B82477G4223M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 22uH ?20%, 3.6A, 38mOm59.83 100..10003-4 дня
B82477G4224M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 220uH ?20%, 1.16A, 380mOm50.22 >10003-4 дня
B82477G4333M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 33uH ?20%, 3.0A, 53mOm45.29 100..10003-4 дня
B82477G4473M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 47uH ?20%, 2.5A, 82mOm49.43 100..10003-4 дня
B82477G4474M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 470uH ?20%, 0.8A, 790mOm50.22 100..10003-4 дня
B82477G4684M SMD 12.8*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 680uH ?20%, 0.68A, 1.24Om79.14 100..10003-4 дня
B82477P2103M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 10uH ?20%, 4.3A, 25mOm77.60 100..10003-4 дня
B82477P2153M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 15uH ?20%, 3.7A, 30mOm46.29 10..1003-4 дня
B82477P2223M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 22uH ?20%, 3.4A, 36mOm60.55 100..10003-4 дня
B82477P2333M SMD 12.5*1EPCOS33мкГн ?20% 2.7A 12.5x12.5x6мм силовая индуктивность для поверхностного монтажа78.65 100..10003-4 дня
B82477P2473M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 47uH ?20%, 2.4A, 70mOm81.40 >10003-4 дня
B82477P2682M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 6.8uH ?20%, 4.8A, 20mOm33.95 100..10003-4 дня
B82477P2683M SMD 12.5*1EPCOS68мкГн ?20% 1.85A 12.5x12.5x6мм силовая индуктивность для поверхностного монтажа83.82 заказ
B82477P4103M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 10uH ?20%, 5.8A, 19mOm88.16 100..10003-4 дня
B82477P4104M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 100uH ?20%, 1.87A, 138mOm88.93 10..1003-4 дня
B82477P4154M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 150uH ?20%, 1.61A, 185mOm92.75 100..10003-4 дня
B82477P4223M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 22uH ?20%, 4.15A, 35mOm67.27 100..10003-4 дня
B82477P4224M SMD 12.5*1EPCOS220мкГн ?20% 1.24A 12.5x12.5x8.5мм силовая индуктивность для поверхностного монтажа84.82 100..10003-4 дня
B82477P4334M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 330uH ?20%, 1.02A, 460mOm85.81 100..10003-4 дня
B82477P4472M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 4.7uH ?20%, 7.3A, 12mOm48.35 100..10003-4 дня
B82477P4473M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 47uH ?20%, 2.8A, 67mOm76.29 100..10003-4 дня
B82477P4683M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 68uH ?20%, 2.35A, 98mOm92.60 10..1003-4 дня
B82477P4684M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 680uH ?20%, 0.69A, 1.05Om66.44 100..10003-4 дня
B82477P4823M SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная 82uH ?20%, 2.1A, 120mOm89.04 100..10003-4 дня
B82477R4103M100 SMD 12.5*1EPCOS10мкГн ?20% 6.2A 12.5x12.5x8.5мм силовая индуктивность для поверхностного монтажа113.75 100..10003-4 дня
B82477R4104M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=100uH, Ir=2.25A, Isat=3.25A Rdc=120mOhm 12.5x12.5x8.5mm110.43 100..10003-4 дня
B82477R4105M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=1000uH, Ir=0.65A, Isat=1.05A Rdc=1350mOhm 12.5x12.5x8.5mm48.53 10..1003-4 дня
B82477R4154M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=150uH, Ir=1.8A, Isat=2.4A Rdc=175mOhm 12.5x12.5x8.5mm109.69 1..103-4 дня
B82477R4202M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=2uH, Ir=8.9A, Isat=24A Rdc=8mOhm 12.5x12.5x8.5mm33.20 100..10003-4 дня
B82477R4223M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=22uH, Ir=4.2A, Isat=7.25A Rdc=32mOhm 12.5x12.5x8.5mm124.10 10..1003-4 дня
B82477R4224M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=220uH, Ir=1.35A, Isat=2.2A Rdc=290mOhm 12.5x12.5x8.5mm112.26 100..10003-4 дня
B82477R4362M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=3.6uH, Ir=8.05A, Isat=16A Rdc=10mOhm 12.5x12.5x8.5mm116.32 100..10003-4 дня
B82477R4473M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=47uH, Ir=3.2A, Isat=4.9A Rdc=60mOhm 12.5x12.5x8.5mm94.27 100..10003-4 дня
B82477R4474M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=470uH, Ir=1.02A, Isat=1.5A Rdc=605mOhm 12.5x12.5x8.5mm114.33 100..10003-4 дня
B82477R4562M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=5.6uH, Ir=7.25A, Isat=12.75A Rdc=11.5mOhm 12.5x12.5x8.5mm112.96 100..10003-4 дня
B82477R4683M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=68uH, Ir=2.65A, Isat=3.55A Rdc=55mOhm 12.5x12.5x8.5mm125.22 100..10003-4 дня
B82477R4821M100 SMD 12.5*1EPCOSSMD индуктивность экранированная L=0.82uH, Ir=11.5A, Isat=38A Rdc=5mOhm 12.5x12.5x8.5mm63.86 10..1003-4 дня
B82479G1153M SMD 18.5*1EPCOSSMD Power Inductor 18.5x18.5x7.25 L=15 Isat=7A38.52 100..10003-4 дня
B82479G1223M SMD 18.5*1EPCOSSMD Power Inductor 18.5x18.5x7.25 L=22 Isat=6A46.91 100..10003-4 дня
B82479G1333M SMD 18.5*1EPCOSSMD Power Inductor 18.5x18.5x7.25 L= 33 Isat=5A78.44 100..10003-4 дня
B82479G1683M SMD 18.5*1EPCOSSMD Power Inductor 18.5x18.5x7.25 L=68 Isat=3A74.78 100..10003-4 дня
B82496C3100J 0603EPCOS5.34 >10003-4 дня
B82496C3101J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 100nH ?5% 100MHz 14Q-Factor 200mA 1.8Ohm14.47 100..10003-4 дня
B82496C3150J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 15nH ?5% 420mA15.40 >10003-4 дня
B82496C3180J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 18nH ?5% 400mA13.18 >10003-4 дня
B82496C3189A 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 1,8nH ?0,3nH 1500mA10.21 >10003-4 дня
B82496C3220G 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 22nH ?2% 380mA19.31 заказ
B82496C3220J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 22nH ?5% 380mA12.94 >10003-4 дня
B82496C3221J 0603EPCOS16.80 заказ
B82496C3270J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 27nH ?5% 360mA14.47 >10003-4 дня
B82496C3330J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 33nH ?5% 350mA13.04 >10003-4 дня
B82496C3390J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 39nH ?5% 300mA11.80 >10003-4 дня
B82496C3399J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 3,9nH ?5% 1200mA26.49 >10003-4 дня
B82496C3470J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 47nH ?5% 270mA11.59 >10003-4 дня
B82496C3479J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 4,7nH ?5% 800mA11.78 >10003-4 дня
B82496C3560J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 56nH ?5% 250mA15.74 >10003-4 дня
B82496C3569J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 5,6nH ?5% 700mA14.95 >10003-4 дня
B82496C3680J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 68nH ?5% 230mA12.60 >10003-4 дня
B82496C3689J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 6,8nH ?5% 700mA10.55 >10003-4 дня
B82496C3820J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 82nH ?5% 220mA15.72 >10003-4 дня
B82496C3829J 0603EPCOSSMD индуктивность на керамике 0603 8,2nH ?5% 650mA13.04 >10003-4 дня
B82498B1102J EPCOS19.07 заказ
B82498B3330J EPCOS26.60 заказ
B82498B3391K EPCOS20.07 заказ
B82498B3470J EPCOS21.91 заказ
B82498B3471J EPCOS28.44 заказ
B82498B3689J EPCOS21.91 заказ
B82498F1102J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 1000nH ?5% Ir=240mA 0.55 Ohms22.49 >10003-4 дня
B82498F1222J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 2200nH ?5% Ir=130mA 1.6 Ohms22.48 >10003-4 дня
B82498F1392J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 3900nH 5% Ir=95mA 3.6 Ohms29.19 >10003-4 дня
B82498F1472J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 4700nH 5% Ir=90mA 3.8 Ohms27.94 >10003-4 дня
B82498F3100J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 10nH ?5% Ir=700mA 0.09 Ohms24.67 >10003-4 дня
B82498F3101J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 100nH ?5% Ir=450mA 0.28 Ohms19.45 заказ
B82498F3121J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 120nH ?5% Ir=440mA 0.31 Ohms25.44 заказ
B82498F3151J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 150nH ?5% Ir=400mA 0.42 Ohms19.72 >10003-4 дня
B82498F3181J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 180nH ?5% Ir=340mA 0.53 Ohms24.10 >10003-4 дня
B82498F3220J EPCOS1'865.42 заказ
B82498F3221J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 220nH ?5% Ir=320mA 0.7 Ohms16.12 заказ
B82498F3270J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 27nH ?5% Ir=700mA 0.09 Ohms28.91 >10003-4 дня
B82498F3331J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 330nH ?5% Ir=220mA 1.5 Ohms19.73 >10003-4 дня
B82498F3391J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 390nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 210mA 1.6Ohm DCR 0805 Automoti19.45 заказ
B82498F3470J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 47nH ?5% Ir=600mA, 0.13 Ohms22.62 >10003-4 дня
B82498F3471J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 470nH ?5% Ir=190mA 1.9 Ohms22.62 >10003-4 дня
B82498F3680J 0805EPCOSПроволочная чип индуктивность 0805 68nH ?5% Ir=500mA 0,18 Ohms22.85 >10003-4 дня
B82720S2202N040 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x1.1mH 2A, SMD исполнения95.32 100..10003-4 дня
B82721A2122N020 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x6.8mH 1.2A, горизонтально88.48 100..10003-4 дня
B82721A2202N001 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x1mH 2A, горизонтального и89.73 100..10003-4 дня
B82721A2362N001 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x400uH 3.6A, горизонтально135.76 заказ
B82721J2401N023 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x39mH 0,4A, вертикального 130.30 заказ
B82721K2202N001 EPCOS86.16 заказ
B82721K2202N001 EPCOS86.16 заказ
B82721K2401N020 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x39mH 10kHz 400mA 2Ohm, ве94.55 >10003-4 дня
B82721K2401N021 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x27mH 10kHz 400mA 1.7Ohm,84.93 заказ
B82721K2501N001 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x18mH 10kHz 500mA 1.4Ohm,84.81 заказ
B82722A2102N001 EPCOSCommon Mode Chokes Dual 10mH 10kHz 1A 480mOhm DCR Thru-Hole Box81.11 10..1003-4 дня
B82722A2501N001 EPCOS2x27мГн ?20% 0,5A 250В~ радиальные выводы горизонтально исполн. / для силовых линий / блистерная под89.86 10..1003-4 дня
B82722J2202N001 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2x2.2mH 2A, вертикального и92.32 заказ
B82724A2302N021 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2х12mH, 3А, 125 мОм, 250В,190.78 100..10003-4 дня
B82724A2602N041 EPCOSДроссель силовой с кольцевым ферритовым сердечником (с токовой компенс.) 2х3.3mH, 6А, 25 мОм, 250В,178.36 100..10003-4 дня
B82724J2402N001 EPCOSCommon Mode Chokes Dual 3.3mH 10kHz 4A 65mOhm DCR Thru-Hole Box115.23 100..10003-4 дня
B82725A2402N001 EPCOSФильтр синфазных помех 2х6.8mH, 4А, 80 мОм, 250В, 20 x 30 (мм), горизонтального исполнения277.61 100..10003-4 дня
B82725J2402N020 EPCOSCommon Mode Chokes Dual 6.8mH 10kHz 4A 75mOhm DCR Thru-Hole Box281.50 100..10003-4 дня
B82725J2602N020 EPCOSCommon Mode Chokes Dual 3.9mH 10kHz 6A 30mOhm DCR Thru-Hole Box240.07 100..10003-4 дня
B82731M2401A033 EPCOSФильтр синфазных помех 2х68 мГн, 4А, 80 мОм, 250В, 15 x 40 (мм), вертикального исполнения,127.36 100..10003-4 дня
B82731M2501A030 EPCOSФильтр синфазных помех 2х47 мГн, 0.5А, 2 Ом, 250В, 15 х 30 мм, вертикального исполнения,132.31 заказ
B82731M2701A030 EPCOSФильтр синфазных помех 2х27 мГн, 0.7А, 1Ом, 250В, 15 x 40 (мм), вертикального исполнения,149.69 >10003-4 дня
B82732F2132B001 24.5*14.5*EPCOSДроссель подавления помех 15 мГн, 1,3А, 430 мОм102.73 10..1003-4 дня
B82732F2162B001 24.5*14.5*EPCOS10мГн 1.6А 290мОм 24.5x13.5x14.5мм Дроссель подавления помех138.78 100..10003-4 дня
B82732F2451B001 24.5*14.5*EPCOSДроссель подавления помех 100 мГн, 0.45А, 2930 мОм79.14 100..10003-4 дня
B82732F2601B001 24.5*14.5*EPCOSДроссель подавления помех 68 мГн, 0.6А, 1970 мОм71.94 100..10003-4 дня
B82732F2701B001 24.5*14.5*EPCOSДроссель подавления помех 47 мГн, 0.7А, 1260 мОм72.27 100..10003-4 дня
B82732F2801B001 24.5*14.5*EPCOS39мГн 0.8А 1100мОм 24.5x13.5x14.5мм Дроссель подавления помех94.81 >10003-4 дня
B82732F2901B001 24.5*14.5*EPCOSДроссель подавления помех 27 мГн, 0.9А, 770 мОм71.20 >10003-4 дня
B82732R2102B030 24*16.5*23EPCOSФильтр синфазных помех 2х22 мГн, 1А137.28 заказ
B82732R2112B030 24*16.5*23EPCOSФильтр синфазных помех 2х15 мГн, 1.1А, 440 мОм, 250В, 10 x 12.5 (мм), вертикального исполнения.80.63 100..10003-4 дня
B82732R2901B030 24*16.5*23EPCOSФильтр синфазных помех 2х27 мГн, 0.9А, 0.75 Ом, 250В, 11 x 12.5 (мм), вертикального исполнения,108.48 100..10003-4 дня
B82733F2142B001 26.5*24.8*EPCOSФильтр синфазных помех 2x27 мГн, 1.4А, 440 мОм, 300В, горизонтального исполнения97.78 заказ
B82733F2192B001 26.5*24.8*EPCOSДроссель, 15 мГн, 1.9А, 279 мОм94.58 заказ
B82733F2232B001 26.5*24.8*EPCOSДроссель, 10 мГн, 2.3А, 188 мОм99.79 заказ
B82734R2132B030 32.5*21*31EPCOSФильтр синфазных помех 2х47 мГн, 1.3А, 440 мОм, 250В, 15 x 12.5 (мм), вертикального исполнения.80.51 100..10003-4 дня
B82734R2202B030 32.5*21*31EPCOSФильтр синфазных помех 2х20 мГн, 2.0А, 240 мОм, 250В, 15 x 12.5 (мм), горизонтального исполнения,124.41 100..10003-4 дня
B82734R2462B030 32.5*21*31EPCOSCommon Mode Chokes Dual 3.3mH 10kHz 4.6A 46mOhm DCR Thru-Hole Box121.88 заказ
B82787C0104H002 EPCOSДроссель общего режима 100uH 5.8kOhm 150mA 2Ohm поверхностного монтажа (SMD)34.70 >10003-4 дня
B82787C0513H002 1812EPCOSДроссель с двойной обмоткой на ферритовом сердечнике 2x51uH 2.8kOhm 100kHz 200mA 1Ohm, SMD исполнени46.24 >10003-4 дня
B82790C0113N201 SMD 9*6*5.EPCOSДроссель на тороидальном ферритовом сердечнике с бифилярной обмоткой для подавления асимметричной ин91.71 заказ
B82790C0225N265 SMD 9*6*5.EPCOSДроссель на тороидальном ферритовом сердечнике с бифилярной обмоткой для подавления асимметричной ин126.20 10..1003-4 дня
B82790C0474N215 SMD 9*6*5.EPCOSДроссель на тороидальном ферритовом сердечнике с бифилярной обмоткой для подавления асимметричной ин96.91 100..10003-4 дня
B82790C0475N265 SMD 9*6*5.EPCOSДроссель на тороидальном ферритовом сердечнике с бифилярной обмоткой для подавления асимметричной ин84.81 >10003-4 дня
B82790C0513N201 SMD 9*6*5.EPCOS2x51мкГн 0.5A Дроссель для подавления асимметричной интерференции / тороидальный сердечник 9x6x5.2мм146.29 >10003-4 дня
B82790S0253N201 SMD 9*6*5.EPCOSДроссель на тороидальном ферритовом сердечнике с секторной обмоткой для подавления асимметричной и 137.19 10..1003-4 дня
B82790S0513N201 SMD 9*6*5.EPCOSДроссель на тороидальном ферритовом сердечнике с секторной обмоткой для подавления асимметричной и 57.83 >10003-4 дня
B82791H2301N001 17.6*15.3*EPCOS2х30мГн -30/+50% 0,3А 250В~ / для силовых линий / фильтр синфазных помех / вертикальное исполнение61.38 100..10003-4 дня
B82791H2601N001 17.6*15.3*EPCOSФильтр синфазных помех 0.6А, 6,8мГн, 17.6х15.2х7.4мм98.35 заказ
B82792C2105N365 SMD 14*10.EPCOSCommon Mode Chokes Quad 1mH 100kHz 500mA 170mOhm DCR SMD Blister T/R217.20 заказ
B82793C0105N265 SMD 9*6*4.EPCOSФильтр синфазной/дифференциальной помехи сигнальный Lr=1mH, Lstr=70nH, Ir=700mA55.40 >10003-4 дня
B82793C0475N265 EPCOSДроссели общего режима Двойные 4.7mH 10kHz125.79 10..1003-4 дня
B82793S0513N201 SMD 9*6*4.EPCOSДроссель на тороидальном ферритовом сердечнике с секторной обмоткой для подавления асимметричной и 46.47 >10003-4 дня
B82799S0513N001 SMD 4.5*3.EPCOSСинфазный фильтр/дроссель 2x51uH ?30% 250V Ir=0.2A 250mOhm97.56 заказ
B82804A0354A110 EPCOST4193 EP5 SMD TRANSFORMER 350uH, 1500V15.72 заказ
CA-BI - 1,5-22 TALEMAТороидальные дроссели общего режима66.63 10..1003-4 дня
CAO-16-0.15 TALEMA16A/0,15mH93.74 10..1003-4 дня
CAO-2.8-0.68 TALEMA2.8A/0,68mH74.42 10..1003-4 дня
CDRH105RNP-180NC SMD 10*10*SUMIDACDRH105RNP 18uH 3.2A 30%51.87 заказ
CDRH127/LDNP-101MC SMD 12.3*1SUMIDA42.71 заказ
CDRH127/LDNP-221MC SUMIDA27.28 100..10003-4 дня
CDRH127/LDNP-390MC SUMIDA29.94 100..10003-4 дня
CDRH127NP-330MC SUMIDA33 uH 20% 3 A Экранированный индуктор питания27.94 100..10003-4 дня
CDRH2D14NP-2R2NC SMD 3*3*1.SUMIDA2,2uH 1000mA 30% 0.095 Ohm Magnetically shielded19.86 100..10003-4 дня
CDRH3D16NP-100NC SMD 4*4*1.SUMIDA10uH Ir=0.55A 0.210 Ohms, Magnetically shielded13.18 100..10003-4 дня
CDRH4D28NP-100NC SUMIDA10 uH 30% 4 A Экранированный индуктор16.63 заказ
CDRH74NP-102MC SMD 7.5*7.SUMIDA1mH Ir=0.18A, 6 Ohms24.10 100..10003-4 дня
CDRH74NP-331MC SMD 7.5*7.SUMIDA330uH ?20%, Ir=0.32A, 1.49Ohms24.46 100..10003-4 дня
CDRH8D28NP-4R7NC SUMIDA10 uH 30% 4 A Экранированный индуктор16.63 заказ
CDRH8D43NP-100NC SUMIDA10 uH 30% 4 A Экранированный индуктор16.63 100..10003-4 дня
CDRH8D43NP-6R8NC SMD 8.3*8.SUMIDAДроссель 6.8 uH ?30 % 4.4 А23.84 100..10003-4 дня
CECL- 1.0/1500 1R0M 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.41 >10003-4 дня
CECL- 1.2/1400 1R2M 4*9.8R6Аксиальная индуктивность3.02 100..10003-4 дня
CECL- 1.5/1350 1R5M 4*9.8R6Аксиальная индуктивность2.98 100..10003-4 дня
CECL- 1.8/1280 1R8M 4*9.8R6Аксиальная индуктивность2.93 100..10003-4 дня
CECL- 2.2/1180 2R2K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.49 заказ
CECL- 2.2/1180 2R2M 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 2.2uH 7.96MHz 0.27Om 660mA4.46 1..103-4 дня
CECL- 2.7/1110 2R7M 4*9.8R6Аксиальная индуктивность2.93 >10003-4 дня
CECL- 3.3/670 3R3K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 3.3uH 7.96MHz 0.34Om 670mA1.95 >10003-4 дня
CECL- 3.9/640 3R9K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 3.9uH 7.96MHz 0.37Om 640mA2.83 >10003-4 дня
CECL- 4.7/620 4R7K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 4.7uH 7.96MHz 0.39Om 620mA4.46 >10003-4 дня
CECL- 5.6/590 5R6K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 5.6uH 7.96MHz 0.43Om 590mA4.95 заказ
CECL- 6.8/860 6R8K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 6.8uH 7.96MHz 0.48Om 550mA2.97 100..10003-4 дня
CECL- 8.2/850 8R2K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность2.98 >10003-4 дня
CECL- 8.2/850 8R2M 4*9.8R6Аксиальная индуктивность2.97 100..10003-4 дня
CECL- 10/500 100K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 10uH 7.96MHz 0.58Om 500mA4.96 заказ
CECL- 12/770 120K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 12uH 2.52MHz 0.63Om 480mA4.95 >10003-4 дня
CECL- 15/620 150K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 15uH 2.52MHz 0.72Om 460mA2.61 100..10003-4 дня
CECL- 18/530 180K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.41 100..10003-4 дня
CECL- 22/410 220K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 22uH 2.52MHz 0.84Om 410mA2.39 >10003-4 дня
CECL- 27/390 270K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 27uH 2.52MHz 0.94Om 390mA2.23 >10003-4 дня
CECL- 33/370 330K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 33uH 2.52MHz 1.03Om 370mA1.98 >10003-4 дня
CECL- 39/440 390K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность1.68 >10003-4 дня
CECL- 47/340 470K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 47uH 2.52MHz 1.22Om 340mA2.54 >10003-4 дня
CECL- 56/320 560K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 56uH 2.52MHz 1.34Om 320mA2.44 >10003-4 дня
CECL- 68/330 680K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.97 100..10003-4 дня
CECL- 82/295 820K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.46 >10003-4 дня
CECL- 100/275 101K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 100uH 2.52MHz 1.8Om 275mA4.49 >10003-4 дня
CECL- 120/185 121K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 120uH 0.796MHz 3.7Om 185mA2.06 100..10003-4 дня
CECL- 150/225 151K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность2.44 100..10003-4 дня
CECL- 180/215 181K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.95 >10003-4 дня
CECL- 220/155 221K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 220uH 0.796MHz 5.1Om 155mA4.46 заказ
CECL- 270/190 271K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.98 10..1003-4 дня
CECL- 330/175 331K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.41 заказ
CECL- 390/133 391K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 390uH 0.796MHz 7Om 133mA4.41 10..1003-4 дня
CECL- 470/126 471K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность 470uH 0.796MHz 7.7Om 126mA4.41 >10003-4 дня
CECL- 560/150 561K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность2.98 >10003-4 дня
CECL- 680/140 681K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность2.93 100..10003-4 дня
CECL- 820/125 821K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность2.93 100..10003-4 дня
CECL-1000/100 102K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.96 100..10003-4 дня
CECL-1200/96 122K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность1.78 >10003-4 дня
CECL-1500/80 152K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность4.41 100..10003-4 дня
CECL-1800/75 182K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность3.10 заказ
CECL-2200/72 222K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность5.75 >10003-4 дня
CECL-2700/70 272K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность3.72 >10003-4 дня
CECL-3300/65 332K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность5.75 >10003-4 дня
CECL-3800/60 382K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность5.75 >10003-4 дня
CECL-3900/60 392K 4*9.8R6Аксиальная индуктивность3.34 >10003-4 дня
CL160808T-100K-N 0603CHILISINSMD Multilayer Chip Inductors 10uH ?10%, 5mA13.72 заказ
CL160808T-1R0M-N 0603CHILISINSMD Multilayer Chip Inductors 1uH ?20%, 25mA9.15 заказ
CLF10040T-100M SMD 10*10*TDKSMD Power Inductor L=10uH, I=4A, Rdc=26mOhm 10x10x3.8mm43.05 100..10003-4 дня
CLF10040T-150M SMD 10*10*TDKSMD Power Inductor L=15uH, I=3.2A, Rdc=40mOhm 10x10x3.8mm45.63 1..103-4 дня
CLF10040T-1R5N SMD 10*10*TDKSMD Power Inductor L=1.5uH, I=10.6A, Rdc=7.1mOhm 10x10x3.8mm29.29 100..10003-4 дня
CLF10040T-220M SMD 10*10*TDKSMD Power Inductor L=22uH, I=2.7A, Rdc=55mOhm 10x10x3.8mm42.02 >10003-4 дня
CLF10040T-4R7N SMD 10*10*TDKSMD Power Inductor L=4.7uH, I=5.4A, Rdc=14,5mOhm 10x10x3.8mm29.29 100..10003-4 дня
CLF7045T-100M SMD 7.2*6.TDKSMD Power Inductor L=10uH, I=2.7A, Rdc=38mOhm 6.9x7.2x4.5mm26.10 заказ
CLF7045T-101M SMD 7.2*6.TDKInductor Power Shielded Wirewound 100uH 20% 100KHz Ferrite 750mA 396mOhm DCR Blister T/R36.10 100..10003-4 дня
CLH1005T-12NJ-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 12nH ?5%, 300mA0.78 >10003-4 дня
CLH1005T-15NJ-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 15nH ?5%, 300mA0.78 >10003-4 дня
CLH1005T-18NK-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 18nH ?10%, 300mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-1N0S-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 1nH ?0.3nH, 400mA0.78 >10003-4 дня
CLH1005T-1N2S-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 1.2nH ?0.3nH, 400mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-1N5S-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 1.5nH ?0.3nH, 400mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-1N8S-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 1.8nH ?0.3nH, 400mA0.78 >10003-4 дня
CLH1005T-1N8S-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 1.8nH ?0.3nH, 400mA0.78 >10003-4 дня
CLH1005T-22NJ-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 22nH ?5%, 300mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-22NK-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 22nH ?10%, 300mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-2N4S-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 2.4nH ?0.3nH, 400mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-2N7S-N 0402CHILISINМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 2.7nH ?0.3nH, 400mA1.90 >10003-4 дня
CLH1005T-39NJ-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 39nH ?5%, 150mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-3N9K-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 3.9nH ?10%, 400mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-5N1S-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 5.1nH ?0.3nH, 400mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-7N5J-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 7.5nH ?5%, 400mA0.64 >10003-4 дня
CLH1005T-8N2J-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 8.2nH ?5%, 300mA0.91 >10003-4 дня
CLH1005T-8N2J-S CHILISIN1.43 заказ
CLH1005T-R10J-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 100nH ?5%, 300mA0.77 >10003-4 дня
CLH1005T-R10K-N 0402YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0402 100nH ?10%, 300mA0.77 >10003-4 дня
CLH1608T-10NJ-S 0603CHILISINМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 10nH ?5%, 600mA2.13 >10003-4 дня
CLH1608T-10NK-N 0603YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 10nH ?10%, 600mA0.40 >10003-4 дня
CLH1608T-12NJ-S 0603CHILISINМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 12nH ?5%, 600mA2.30 >10003-4 дня
CLH1608T-18NJ-N YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 18nH ?5%, 300mA2.81 заказ
CLH1608T-1N5S-N 0603YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 1.5nH ?0.3nH, 600mA0.60 >10003-4 дня
CLH1608T-33NJ-S 0603CHILISINМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 33nH ?5%, 400mA2.30 >10003-4 дня
CLH1608T-3N3S-S 0603CHILISINМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 3,3nH ?0.3nH, 600mA2.08 >10003-4 дня
CLH1608T-3N9S-S 0603CHILISINМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 3,3nH ?0.3nH, 600mA2.26 заказ
CLH1608T-47NJ-S 0603CHILISINМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 47nH ?5%, 400mA2.08 >10003-4 дня
CLH1608T-5N6S-N 0603YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 5.6nH ?0.3nH, 600mA0.74 >10003-4 дня
CLH1608T-6N8J-N 0603YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 5.6nH ?5%, 600mA0.60 >10003-4 дня
CLH1608T-8N2J-N 0603YAGEOМногослойная керамическая индуктивность SMD 0603 8.2nH ?5%, 600mA1.19 >10003-4 дня
CM322522-100KL 1210BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 10uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 150mA8.61 >10003-4 дня
CM322522-101KL 1210BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 40mA8.64 >10003-4 дня
CM322522-1R0KL 1210BOURNS9.70 заказ
CM322522-330KL 1210BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 33uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 70mA 5.65.62 >10003-4 дня
CM322522-470KL 1210BOURNS8.92 >10003-4 дня
CM322522-4R7KL 1210BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 4.7uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor 220mA8.84 100..10003-4 дня
CM322522-680KL 1210BOURNS6.34 >10003-4 дня
CM453232-100KL 1812BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 10uH 10% 2.52MHz 50Q-Factor Ferrite 250mA 1.13.91 100..10003-4 дня
CM453232-101KL 1812BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 2.52MHz 40Q-Factor Ferrite 110mA 813.79 >10003-4 дня
CM453232-102KL 1812BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 1mH 10% 252KHz 30Q-Factor Ferrite 30mA 40Ohm14.20 >10003-4 дня
CM453232-1R0KL 1812BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 1uH 10% 7.96MHz 50Q-Factor Ferrite 450mA 50013.50 >10003-4 дня
CM453232-220KL 1812BOURNS9.87 >10003-4 дня
CM453232-221KL 1812BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 220uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 100mA 1013.46 100..10003-4 дня
CM453232-2R2KL 1812BOURNS17.49 заказ
CM453232-3R3KL 1812BOURNS13.66 заказ
CM453232-470KL 1812BOURNSInd GP Chip Wirewound 47uH 10% 2.52MHz 50Q-Factor Ferrite 140mA 5Ohm DCR 1812 T/R14.20 100..10003-4 дня
CM453232-471KL 1812BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 470uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 62mA 26O7.91 100..10003-4 дня
CM453232-4R7KL 1812BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 4.7uH 10% 7.96MHz 50Q-Factor Ferrite 315mA 28.70 >10003-4 дня
CM453232-561KL 1812BOURNS15.13 заказ
CM453232-680KL 1812BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 68uH 10% 2.52MHz 50Q-Factor Ferrite 130mA 268.70 >10003-4 дня
CS0603-10NG-N 0603YAGEOПроволочная чип индуктивность 0603 10nH ?2%, 700mA3.05 заказ
CS0603-27NJ-S 0603CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 27nH, 600mA8.15 >10003-4 дня
CS0603-3N9J-N 0603CHILISINПроволочная чип индуктивность 0603 3.9nH ?5%, 700mA3.05 заказ
CS0603-5N6J-N 0603CHILISINПроволочная чип индуктивность 0603 5.6nH ?5%, 700mA3.05 заказ
CS0603-7N5J-N 0603YAGEOПроволочная чип индуктивность 0603 7.5nH ?5%, 700mA3.05 заказ
CS0603-R10J-S 0603CHILISINПроволочная чип индуктивность 0603 100nH ?5%, 400mA19.61 заказ
CS0603-R12J-S 0603CHILISINПроволочная чип индуктивность 0603 120nH ?5%, 300mA7.48 заказ
CS0805-12NK-N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 12nH ?10%, 600mA3.45 >10003-4 дня
CS0805-15NK-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 15nH ?10%, 600mA7.75 >10003-4 дня
CS0805-18NK-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 18nH ?10%, 600mA6.99 >10003-4 дня
CS0805-2N8K-N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 2.8nH ?10%, 800mA4.21 >10003-4 дня
CS0805-3N3K-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 3.3nH ?10%, 600mA5.76 >10003-4 дня
CS0805-47NK-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 47nH ?10%, 500mA6.84 100..10003-4 дня
CS0805-68NK-N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 68nH ?10%, 600mA5.87 >10003-4 дня
CS0805-82NJ-N 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 82nH ?5%, 400mA6.99 >10003-4 дня
CS0805-R10J-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 100nH ?5%, 400mA6.84 >10003-4 дня
CS0805-R12K-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 120nH ?10%, 400mA7.75 >10003-4 дня
CS0805-R15K-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 150nH ?10%, 400mA7.75 100..10003-4 дня
CS0805-R22K-N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 220nH ?10%, 400mA6.98 100..10003-4 дня
CS0805-R27J-N 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 270nH ?5%, 350mA9.15 заказ
CS0805-R33K-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 330nH ?10%, 310mA6.84 заказ
CS0805-R39J-S 0805CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductors 0805 100nH ?10%, 400mA7.43 >10003-4 дня
CW201212-15NJ 0805BOURNSПроволочная чип индуктивность 15nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 600mA 80mOhm DCR 0805 T/R18.20 заказ
CW252016-68NJ BOURNS14.37 заказ
CW68 10/1300 100K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 10uH 2.52MHz 0.09Om 1300mA6.06 >10003-4 дня
CW68 100/710 101K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 100uH 0.796MHz 0.44Om 710mA4.04 >10003-4 дня
CW68 1000/200 102K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 1000uH 0.796MHz 3.3Om 200mA6.00 1..103-4 дня
CW68 10000/58 103K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность8.94 >10003-4 дня
CW68 12/1100 120K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 12uH 2.52MHz 0.1Om 1100mA6.06 >10003-4 дня
CW68 120/680 121K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 120uH 0.796MHz 0.64Om 680mA6.00 заказ
CW68 1200/200 122K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность4.11 1..103-4 дня
CW68 1200/95 122K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность3.08 10..1003-4 дня
CW68 12000/32 123K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность3.86 100..10003-4 дня
CW68 15/1050 150K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 15uH 2.52MHz 0.11Om 1050mA6.06 >10003-4 дня
CW68 150/600 151K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 150uH 0.796MHz 0.73Om 600mA6.00 >10003-4 дня
CW68 1500/180 152K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.07 10..1003-4 дня
CW68 1500/90 152K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.36 заказ
CW68 15000/30 153K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 15000uH 0.0796MHz 45.4Om 30mA9.36 >10003-4 дня
CW68 18/1000 180K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 18uH 2.52MHz 0.12Om 1000mA6.12 >10003-4 дня
CW68 180/540 181K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 180uH 0.796MHz 0.82Om 540mA6.12 100..10003-4 дня
CW68 1800/160 182K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.00 10..1003-4 дня
CW68 1800/80 182K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность3.08 >10003-4 дня
CW68 18000/50 183K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность8.94 >10003-4 дня
CW68 2.2/1300 2R2K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.06 100..10003-4 дня
CW68 22/960 220K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 22uH 2.52MHz 0.12Om 960mA6.53 10..1003-4 дня
CW68 220/450 221K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 220uH 0.796MHz 0.92Om 450mA6.00 >10003-4 дня
CW68 2200/150 222K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.06 1..103-4 дня
CW68 22000/46 223K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность8.84 >10003-4 дня
CW68 27/920 270K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.07 100..10003-4 дня
CW68 270/420 271K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 270uH 0.796MHz 1.2Om 420mA6.50 >10003-4 дня
CW68 2700/130 272K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.06 100..10003-4 дня
CW68 2700/65 272K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность2.86 >10003-4 дня
CW68 27000/22 273K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.70 >10003-4 дня
CW68 27000/42 273K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность9.42 >10003-4 дня
CW68 33/880 330K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 33uH 2.52MHz 0.19Om 880mA6.00 >10003-4 дня
CW68 330/400 331K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 330uH 0.796MHz 1.6Om 400mA6.50 >10003-4 дня
CW68 3300/60 332K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность3.23 >10003-4 дня
CW68 3300/80 332K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 3300uH 0.252MHz 10.5Om 80mA6.00 >10003-4 дня
CW68 33000/20 333K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность2.86 >10003-4 дня
CW68 33000/38 333K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность8.94 >10003-4 дня
CW68 39/860 390K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность3.38 >10003-4 дня
CW68 390/370 391K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 390uH 0.796MHz 1.9Om 370mA4.89 >10003-4 дня
CW68 3900/100 392K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность3.51 >10003-4 дня
CW68 3900/55 392K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.70 100..10003-4 дня
CW68 39000/37 393K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность2.93 >10003-4 дня
CW68 47/830 470K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 47uH 2.52MHz 0.23Om 830mA6.00 >10003-4 дня
CW68 470/340 471K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 470uH 0.796MHz 2.3Om 340mA6.46 >10003-4 дня
CW68 4700/52 472K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.53 100..10003-4 дня
CW68 4700/85 472K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность3.72 100..10003-4 дня
CW68 47000/15 473K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность3.65 100..10003-4 дня
CW68 47000/35 473K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность8.94 >10003-4 дня
CW68 56/810 560K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.06 >10003-4 дня
CW68 560/280 561K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 560uH 0.796MHz 2.6Om 280mA6.06 10..1003-4 дня
CW68 5600/50 562K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.70 >10003-4 дня
CW68 5600/70 562K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность5.47 1..103-4 дня
CW68 68/750 680K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 68uH 2.52MHz 0.37Om 750mA6.00 >10003-4 дня
CW68 680/250 681K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 680uH 0.796MHz 2.8Om 250mA6.53 100..10003-4 дня
CW68 6800/65 682K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность5.72 >10003-4 дня
CW68 82/740 820K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность 82uH 2.52MHz 0.39Om 740mA3.88 >10003-4 дня
CW68 820/230 821K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность3.76 100..10003-4 дня
CW68 8200/40 822K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность11.58 100..10003-4 дня
CW68 8200/60 822K 7.5*11.5R6Радиальная индуктивность6.63 1..103-4 дня
CWR6 180/300 181K 7.5*12COILSАксиальная индуктивность7.71 >10003-4 дня
CWR6 47/600 470K 7.5*12COILSАксиальная индуктивность5.78 >10003-4 дня
DLP11SN900HL2L MURATACommon Mode Chokes Dual 90Ohm 100MHz 150mA 1.5Ohm DCR SMD8.22 >10003-4 дня
DLP31SN551ML2L MURATACommon Mode Chokes Dual 550Ohm 100MHz 100mA 3.6Ohm DCR SMD54.58 >10003-4 дня
DLW21HN900SQ2L 0805MURATACommon Mode Chokes Dual 90Ohm 100MHz 330mA 350mOhm DCR SMD T/R7.64 >10003-4 дня
DLW21SN371SQ2L 0805MURATACommon Mode Chokes Dual 370Ohm 100MHz 280mA 450mOhm DCR SMD T/R12.80 100..10003-4 дня
DLW21SN900SQ2L 0805MURATACommon Mode Chokes Dual 90Ohm 100MHz 330mA 350mOhm DCR SMD T/R14.39 >10003-4 дня
DLW31SN222SQ2L 1206MURATACommon Mode Chokes Dual 2.2kOhm 100MHz 200mA 1.2Ohm DCR SMD47.33 100..10003-4 дня
DLW31SN900SQ2L 1206MURATACommon Mode Chokes Dual 90Ohm 100MHz 370mA 300mOhm DCR SMD T/R17.44 100..10003-4 дня
DLW43SH510XK2L 1812MURATASMD Choke Coil 51uH 230mA 1812 - Wire Wound Type35.82 100..10003-4 дня
DLW5BSN102SQ2L 2020MURATAInd Common Mode Choke Wirewound 1KOhm 100MHz Ferrite 1.5A 202081.45 10..1003-4 дня
DLW5BSN152SQ2L 2020MURATACommon Mode Chokes Dual 1.5kOhm 100MHz 1A 100mOhm DCR SMD T/R78.20 10..1003-4 дня
DLW5BSN302SQ2L 2020MURATACommon Mode Chokes Dual 3kOhm 100MHz 500mA 300mOhm82.85 >10003-4 дня
DLW5BTN102SQ2L 2020MURATACommon Mode Chokes Dual 1kOhm 100MHz 2A 24mOhm DCR SMD37.37 100..10003-4 дня
DLW5BTN501SQ2L 2020MURATACommon Mode Chokes Dual 500Ohm 100MHz 4A 27mOhm DCR SMD T/R37.37 100..10003-4 дня
EC24 R39M 0.39/700 3*8TOPАксиальная индуктивность1.53 100..10003-4 дня
ELC11D101F 11.5*13.9PAN INDChoke Wirewound 100uH 10% 10KHz Ferrite 1.8A 120mOhm DCR RDL35.55 заказ
ELC11D331F 11.5*13.9PAN INDChoke Wirewound 330uH 10% 10KHz Ferrite 1A 350mOhm DCR RDL26.98 заказ
ELC18B101L 20*27PAN INDChoke Wirewound 100uH 10% 10KHz Ferrite 3.2A 57mOhm DCR RDL81.07 10..1003-4 дня
ELC18B221L 20*27PAN INDChoke Wirewound 220uH 10% 10KHz Ferrite 2.4A 90mOhm DCR RDL59.27 заказ
IFSC1515AHER100M01 SMD 4*4*1.VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 10uH 20% 100KHz 1.35A 169mOhm DCR 151515.87 >10003-4 дня
IHLP2020BZER100M01 SMD 5.49*5VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 10uH 20% 100KHz 2.3A 199mOhm DCR 202045.68 10..1003-4 дня
IHLP2020BZER2R2M01 SMD 5.49*5VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Powdered Iron 4.2A 50.1mOhm DCR 2020 T/R33.68 100..10003-4 дня
IHLP2020BZER3R3M01 SMD 5.49*5VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz 3.3A 85.5mOhm DCR45.68 100..10003-4 дня
IHLP2020CZER220M11 SMD 5.49*5VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 22uH 20% 100KHz 1.9A 270mOhm DCR 2020 T/R33.89 заказ
IHLP2020CZER3R3M11 SMD 5.49*5VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz 3.3A 85.5mOhm DCR 202052.25 >10003-4 дня
IHLP2525CZER100M01 SMD 6.86*6VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 10uH 20% 100KHz 3A 105mOhm DCR 2525 T/R46.86 10..1003-4 дня
IHLP2525CZER100M11 SMD 6.86*6VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 10uH 20% 100KHz Powdered Iron 4A 71.2mOhm DCR 252535.80 >10003-4 дня
IHLP2525CZER1R0M01 SMD 6.86*6VISHAYInd Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz 11A 10mOhm DCR 2525 T/R37.50 >10003-4 дня
IHLP2525CZER1R5M01 SMD 6.86*6VISHAY37.14 >10003-4 дня
IHLP2525CZER220M11 SMD 6.86*6VISHAYInd Power Shielded Wirewound 22uH 20% 100KHz Powdered Iron 2.9A 135mOhm DCR 2525 T/R33.08 >10003-4 дня
IHLP2525CZER2R2M01 SMD 6.86*6VISHAYInd Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Powdered Iron 8A 20mOhm DCR 2525 T/R25.92 100..10003-4 дня
IHLP2525CZER3R3M01 SMD 6.86*6VISHAYInd Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Powdered Iron 6A 30mOhm DCR 2525 T/R37.33 >10003-4 дня
IHLP2525CZER4R7M01 SMD 6.86*6VISHAYInd Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Powdered Iron 5.5A 40mOhm DCR 252536.61 100..10003-4 дня
IHLP2525CZER6R8M01 SMD 6.86*6VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 100KHz Powdered Iron 4.5A 60mOhm DCR 2525 T/R35.26 100..10003-4 дня
IHLP2525CZER8R2M01 SMD 6.86*6VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 8.2uH 20% 100KHz 4A 68mOhm DCR 252547.98 100..10003-4 дня
IHLP2525CZERR33M01 SMD 6.86*6VISHAY24.68 100..10003-4 дня
IHLP4040DZER100M11 SMD 10.3*1VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 10uH 20% 100KHz 7.5A 30.5mOhm DCR 404053.51 100..10003-4 дня
IHLP4040DZER101M11 SMD 10.3*1VISHAYInd High Current Shielded 100uH 20% 100KHz 2.5A79.05 10..1003-4 дня
IHLP4040DZER150M11 SMD 10.3*1VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 15uH 20% 100KHz Powdered Iron 6.25A 45mOhm DCR 4040 T/R41.52 100..10003-4 дня
IHLP4040DZER1R8M11 SMD 10.3*1VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 1.8uH 20% 100KHz Powdered Iron 17A 5mOhm DCR 4040 T/R74.21 заказ
IHLP4040DZER220M11 SMD 10.3*1VISHAYSMD Inductor 22uH53.02 10..1003-4 дня
IHLP4040DZER470M11 SMD 10.3*1VISHAY92.22 100..10003-4 дня
IHLP4040DZER4R7M01 SMD 10.3*1VISHAYInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Powdered Iron 9.5A 16.5mOhm DCR 404051.18 100..10003-4 дня
LCN0603T-10NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 10nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-12NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 12nH, 700mA5.91 >10003-4 дня
LCN0603T-16NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 16nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-1N6J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 1.6nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-1N8J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 1.8nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-22NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 22nH, 700mA5.90 >10003-4 дня
LCN0603T-27NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 27nH, 600mA5.90 100..10003-4 дня
LCN0603T-33NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 33nH, 600mA3.57 >10003-4 дня
LCN0603T-39NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 39nH, 600mA5.91 >10003-4 дня
LCN0603T-3N6J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 3.6nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-3N9J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 3.9nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-47NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 47nH, 600mA4.42 >10003-4 дня
LCN0603T-4N3J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 4.3nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-4N7J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 4.7nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-56NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 56nH, 600mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-5N1J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 5.1nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-68NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 68nH, 600mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-6N3J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 6.3nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-6N8J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 6.8nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-72NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 72nH, 400mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-7N5J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 7.5nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-82NJ-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 82nH, 400mA5.26 >10003-4 дня
LCN0603T-8N7J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 8.7nH, 700mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-R10J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 100nH, 400mA9.83 100..10003-4 дня
LCN0603T-R11J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 110nH, 300mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-R15J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 150nH, 280mA4.44 >10003-4 дня
LCN0603T-R18J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 180nH, 2400mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-R22J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 220nH, 200mA3.65 >10003-4 дня
LCN0603T-R27J-N 0603YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductors 0603 270nH, 170mA9.90 >10003-4 дня
LCN0805T-10NK-N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 10uH ?10%, 600mA5.59 >10003-4 дня
LCN0805T-12NK-S 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 12nH, 600mA3.96 >10003-4 дня
LCN0805T-22NJ-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 22nH, 500mA6.66 100..10003-4 дня
LCN0805T-27NJ-N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 27nH, 500mA5.87 >10003-4 дня
LCN0805T-39NK-S 0805CHILISINПроволочная чип индуктивность 0805 39nH ?10%, 500mA3.20 >10003-4 дня
LCN0805T-47NK-N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 47nH ?10%, 500mA6.84 10..1003-4 дня
LCN0805T-R10K-N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 100nH ?10%, 400mA6.83 >10003-4 дня
LCN0805T-R18K N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 180nH ?10%, 400mA9.32 100..10003-4 дня
LCN0805T-R22K-S 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 220nH ?10%, 400mA5.58 >10003-4 дня
LCN0805T-R27K-S 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 220nH ?10%, 350mA5.88 1..103-4 дня
LCN0805T-R33K-N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 330nH ?10%, 310mA9.32 1..103-4 дня
LCN0805T-R39K -N 0805YAGEOПроволочная чип индуктивность 0805 390nH ?10%, 290mA4.75 100..10003-4 дня
LGA0410ТВ 3.3/670 3R3K 4*10R6Аксиальные индуктивности4.29 >10003-4 дня
LGA0410ТВ 470/126 471K 4*10R6Аксиальные индуктивности2.99 >10003-4 дня
LGA0410ТВ 820/105 821K 4*10R6Аксиальные индуктивности4.87 100..10003-4 дня
LGA0410ТВ 0.56/1100 R56M 4*10R6Аксиальные индуктивности2.53 100..10003-4 дня
LGCI0806-100 SMD 7.8*5R6Индуктивности SMD8.68 >10003-4 дня
LGCI0806-101 SMD 7.8*5R6Индуктивности SMD8.68 >10003-4 дня
LGCI0806-151 SMD 7.8*5R6Индуктивности SMD8.68 >10003-4 дня
LGCI0806-180 SMD 7.8*5R6Индуктивности SMD8.68 >10003-4 дня
LGCI0806-221 SMD 7.8*5R6Индуктивности SMD8.68 >10003-4 дня
LGCI0806-270 SMD 7.8*5R6Индуктивности SMD8.68 >10003-4 дня
LGCI0806-470 SMD 7.8*5R6Индуктивности SMD8.68 >10003-4 дня
LGCI0806-471 SMD 7.8*5R6Индуктивности SMD8.68 >10003-4 дня
LQG15HN10NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 10nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 500mA 290mOhm DCR 00.78 >10003-4 дня
LQG15HN12NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 12nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 410mOhm DCR 03.04 >10003-4 дня
LQG15HN15NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 15nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 450mOhm DCR 02.99 >10003-4 дня
LQG15HN18NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 18nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 510mOhm DCR 02.81 заказ
LQG15HN1N0S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 1.0nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1000mA 70mOhm 2.09 >10003-4 дня
LQG15HN1N8S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 80mOhm D0.78 >10003-4 дня
LQG15HN22NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 580mOhm DCR 02.58 >10003-4 дня
LQG15HN27NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 27nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 670mOhm DCR 02.81 >10003-4 дня
LQG15HN2N0S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 90mOhm DCR 2.44 >10003-4 дня
LQG15HN2N2S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 90mOhm D3.04 >10003-4 дня
LQG15HN2N7S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7nH ?0,3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 100mOhm 3.19 >10003-4 дня
LQG15HN33NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 33nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 670mOhm DCR 02.77 >10003-4 дня
LQG15HN3N3S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 120mOhm D2.98 >10003-4 дня
LQG15HN3N9S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 130mOhm 2.45 >10003-4 дня
LQG15HN47NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 47nH ? 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 1.15Ohm DCR2.28 >10003-4 дня
LQG15HN4N7S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 160mOhm 2.31 >10003-4 дня
LQG15HN5N6S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 180mOhm D1.74 >10003-4 дня
LQG15HN6N8J02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 210mOhm DCR 2.55 >10003-4 дня
LQG15HN8N2J02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 500mA 250mOhm DCR 2.89 >10003-4 дня
LQG15HNR10J02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 100nH ? 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 500mA 1.6Ohm DCR2.53 >10003-4 дня
LQG15HS10NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 10nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 260mOhm DCR 02.07 >10003-4 дня
LQG15HS12NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 12nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 280mOhm DCR 01.86 >10003-4 дня
LQG15HS18NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 18nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 360mOhm DCR 02.21 >10003-4 дня
LQG15HS1N0S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 1nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 70mOhm DCR 042.53 >10003-4 дня
LQG15HS1N2S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 1.2nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 70mOhm DCR 0.83 >10003-4 дня
LQG15HS22NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 420mOhm DCR 03.04 >10003-4 дня
LQG15HS27NJ02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 27nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 460mOhm DCR 02.58 >10003-4 дня
LQG15HS2N0S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 2nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 90mOhm DCR2.87 >10003-4 дня
LQG15HS3N9S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 750mA 140mOhm 1.36 >10003-4 дня
LQG15HS4N7S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 160mOhm 2.83 >10003-4 дня
LQG15HS5N1S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 5.1nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 650mA 180mOhm 2.49 >10003-4 дня
LQG15HS5N6S02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 650mA 180mOhm 3.73 >10003-4 дня
LQG15HS6N8J02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 220mOhm 2.21 >10003-4 дня
LQG15HS8N2J02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2nH ?0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 550mA 240mOhm 2.91 >10003-4 дня
LQG15HSR10J02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 100nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.25Ohm DCR 3.49 >10003-4 дня
LQG15HSR12J02D 0402MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 120nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.3Ohm DCR 03.49 >10003-4 дня
LQG18HN12NJ00D 0603MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 12nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 350mOhm DCR 4.01 >10003-4 дня
LQG18HN18NJ00D 0603MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 18nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 370mOhm DCR 3.45 >10003-4 дня
LQG18HN22NJ00D 0603MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 22nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 500mOhm DCR 4.04 >10003-4 дня
LQG18HN27NJ00D 0603MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 27nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 540mOhm DCR 6.99 >10003-4 дня
LQG18HN33NJ00D 0603MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 33nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 540mOhm DCR 3.75 >10003-4 дня
LQG18HN3N9S00D 0603MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 900mA 150mOhm 3.75 >10003-4 дня
LQG18HN5N6S00D 0603MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 800mA 200mOhm 3.33 >10003-4 дня
LQG18HN8N2J00D 0603MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 800mA 200mOhm DCR4.02 100..10003-4 дня
LQG18HNR10J00D 0603MURATAЧип индуктивность многослойная неэкранированная 100nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 350mA 900mOhm DCR8.59 >10003-4 дня
LQH31CN101K03L 1206MURATAЧип индуктивность проволочная неэкранированная 100uH ?10% 80mA, 12Ohm DCR, 1206 T/R11.94 100..10003-4 дня
LQH32CN100K23L 1210MURATAInd Power Chip Unshielded Wirewound 10uH 10% 1MHz Ferrite 300mA 572mOhm DCR 1210 T/R7.71 100..10003-4 дня
LQH32CN100K33L 1210MURATAInd Power Chip Unshielded Wirewound 10uH 10% 1MHz Ferrite 450mA 390mOhm DCR 1210 T/R7.87 >10003-4 дня
LQH32CN100K53L 1210MURATAInd Power Chip Unshielded Wirewound 10uH 10% 1MHz Ferrite 450mA 390mOhm DCR 1210 T/R8.33 >10003-4 дня
LQH32CN101K23L 1210MURATAInd Power Chip Unshielded Wirewound 100uH 10% 1MHz Ferrite 100mA 4.55Ohm DCR 1210 T/R8.62 >10003-4 дня
LQH32CN220K23L 1210MURATAInd Power Chip Unshielded Wirewound 22uH 10% 1MHz Ferrite 250mA 923mOhm DCR 12108.13 100..10003-4 дня
LQH32CN2R2M23L 1210MURATAInd Power Chip Unshielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 600mA 169mOhm DCR 1210 T/R7.35 100..10003-4 дня
LQH32CN2R2M33L 1210MURATAIndr Power Chip Unshielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 790mA 126.1mOhm DCR 1210 T/R4.73 >10003-4 дня
LQH32CN330K53L 1210MURATAIndr Power Chip Unshielded Wirewound 33uH 10% 1MHz Ferrite 200mA 1.43Ohm DCR 1210 T/R10.19 >10003-4 дня
LQH32CN470K23L 1210MURATAInd Power Chip Unshielded Wirewound 47uH 10% 1MHz Ferrite 170mA 1.69Ohm DCR 1210 T/R7.85 >10003-4 дня
LQH32CN471K23L 1210MURATA4.88 >10003-4 дня
LQH32CN4R7M33L 1210MURATAInd Power Chip Unshielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 650mA 195mOhm DCR 1210 T/R8.67 100..10003-4 дня
LQH32MN100J23L 1210MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 10uH 5% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 190mA 1.8Ohm DCR7.81 >10003-4 дня
LQH32MN100K23L 1210MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 10uH 10% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 190mA 1.8Ohm DCR9.08 100..10003-4 дня
LQH32MN101J23L 1210MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 100uH 5% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 80mA 7Ohm DCR5.57 100..10003-4 дня
LQH32MN101K23L 1210MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 100uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 80mA 7Ohm DCR7.71 заказ
LQH32MN181K23L 1210MURATA8.68 >10003-4 дня
LQH32MN1R0M23L 1210MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 1uH 20% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 445mA 500mOhm DCR5.43 >10003-4 дня
LQH32MN220K23L 1210MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 22uH 10% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 150mA 2.8Ohm DCR7.71 >10003-4 дня
LQH32MN470K23L 1210MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 47uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 100mA 4.3Ohm DCR5.57 100..10003-4 дня
LQH32MN4R7K23L 1210MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 4.7uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 270mA 1.2Ohm DCR7.73 100..10003-4 дня
LQH32MN6R8K23L 1210MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 6.8uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 240mA 1.5Ohm DCR3.66 заказ
LQH32PN100MNCL 1210MURATAInductor 1210(3.2x2.5mm) 100(10uH) +/-20%12.14 >10003-4 дня
LQH32PN2R2NN0L 1210MURATAInd Power Chip Shielded Wirewound 2.2uH 30% 1MHz Ferrite 1.6A 91.2mOhm DCR 1210 T/R6.61 >10003-4 дня
LQH32PN3R3NN0L 1210MURATALQH32PN 3,3uH 1200mA 30% WWT7.30 100..10003-4 дня
LQH32PN4R7NN0L 1210MURATA7.22 >10003-4 дня
LQH43CN100K03L 1812MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 10uH 10% 1MHz Ferrite 650mA 240mOhm DCR 1812 T/R14.60 заказ
LQH43CN101K03L 1812MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 100uH 10% 1MHz Ferrite 190mA 2.2Ohm DCR 1812 T/R15.90 >10003-4 дня
LQH43CN221K03L 1812MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 220uH 10% 1MHz Ferrite 110mA 4Ohm DCR 1812 T/R16.61 100..10003-4 дня
LQH43CN2R2M03L 1812MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 900mA 110mOhm DCR 1812 T/R10.92 100..10003-4 дня
LQH43CN471K03L 1812MURATAПроволочная индуктивность неэкранированная 470uH 10% 1kHz Ferrite 90mA 8.5Ohm DCR 1812 T/R11.31 заказ
LQH43MN100K03L 1812MURATA16.17 >10003-4 дня
LQH43MN101K03L 1812MURATACHIP INDUCTOR WIRE WOUND 1812 100uH +/- 10% 160mA16.17 100..10003-4 дня
LQH43MN102K03L 1812MURATACHIP INDUCTOR WIRE WOUND 1812 1000uH +/- 10% 050mA18.42 >10003-4 дня
LQH43MN221K03L 1812MURATA11.10 100..10003-4 дня
LQH43MN331K03L 1812MURATAInd GP Chip Unshielded Wirewound 330uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 95mA 8.2Ohm18.70 заказ
LQH43MN4R7K03L 1812MURATACHIP INDUCTOR WIRE WOUND 1812 4.7uH +/- 10% 500mA12.43 100..10003-4 дня
LQH43MN561K03L 1812MURATA17.58 100..10003-4 дня
LQH44PN2R2MP0L MURATAInductor Power Chip Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.8A 58.8mOhm DCR 1515 T/R8.71 100..10003-4 дня
LQH55DN100M03L 2220MURATASMD индуктивность проволочная неэкранированная 10uH 20% 1MHz Ferrite 1.7A 93mOhm DCR 2220 T/R49.73 1..103-4 дня
LQH55DN151M03L 2220MURATASMD индуктивность проволочная неэкранированная 150uH 20% 100kHz Ferrite 420mA 1.9Ohm DCR 2220 T/R60.54 100..10003-4 дня
LQH55DN2R2M03L 2220MURATASMD индуктивность проволочная неэкранированная 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 3.2A 29mOhm DCR 2220 T/R58.02 100..10003-4 дня
LQH55DN3R3M03L 2220MURATASMD индуктивность проволочная неэкранированная 3.3uH 20% 1MHz Ferrite 2.9A 36Ohm DCR 2220 T/R56.90 100..10003-4 дня
LQH55DN470M03L 2220MURATASMD индуктивность проволочная неэкранированная 47uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 400mOhm DCR 2220 T/R49.29 >10003-4 дня
LQH55DN680M03L 2220MURATASMD индуктивность проволочная неэкранированная 68uH 20% 1MHz Ferrite 640mA 670mOhm DCR 2220 T/R62.17 100..10003-4 дня
LQH66SN101M03L MURATAInductor Power Chip Shielded Wirewound 100uH 20% 100KHz Ferrite 520mA 504mOhm DCR 2525 T/R62.92 100..10003-4 дня
LQH66SN220M03L SMD 6.3*6.MURATAInd Power Chip Shielded Wirewound 22uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 121.8mOhm DCR 2525 T/R66.48 10..1003-4 дня
LQM18FN100M00D 0603MURATAInd Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 20% 1MHz Ferrite 50mA 1.17Ohm DCR 0603 T/R2.90 >10003-4 дня
LQM18FN2R2M00D 0603MURATA2.67 заказ
LQM18NN2R2K00D MURATALQM18NN 2,2uH 15mA 10% MLT4.38 >10003-4 дня
LQM21DN2R2N00D 0805MURATAМногослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 2,2uH 40mA 30%5.61 100..10003-4 дня
LQM21FN100M70L 0805MURATAInd Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 20% 1MHz Ferrite 100mA 780mOhm DCR 0805 T/R5.75 100..10003-4 дня
LQM21FN100N00L 0805MURATAInd Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 30% 1MHz Ferrite 60mA 650mOhm DCR 0805 T/R5.21 >10003-4 дня
LQM21FN1R0N00D 0805MURATAInd Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 30% 1MHz Ferrite 220mA 260mOhm DCR 0805 T/R4.77 >10003-4 дня
LQM21FN470N00L 0805MURATALQM21FN 47uH 7,0mA 30% MLT2.58 >10003-4 дня
LQM21FN4R7N00L 0805MURATAInd Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 30% 1MHz Ferrite 80mA 390mOhm DCR 08055.30 >10003-4 дня
LQM21NN1R0K10D 0805MURATA3.42 >10003-4 дня
LQM21NN4R7K10L 0805MURATAInd General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 1Ohm DCR4.33 >10003-4 дня
LQM21NNR10K10D 0805MURATAChip Shielded Multi-Layer 100nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 0805 Paper T/4.21 >10003-4 дня
LQM21NNR15K10D 0805MURATACHIP INDUCTOR MONOLITHIC 0805 150nH +/- 10% 250mA3.75 >10003-4 дня
LQM21NNR22K10D 0805MURATAМногослойная чип индуктивность 220nH 10% 250mA4.22 >10003-4 дня
LQM21NNR68K10D 0805MURATA4.23 >10003-4 дня
LQM2HPN1R0MG0L MURATAInductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.6A 69mOhm DCR 1008 T/R5.53 >10003-4 дня
LQM2HPN2R2MG0L 1008MURATAInd Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 100mOhm DCR 1008 T/R11.04 >10003-4 дня
LQM2HPN2R2MJ0L MURATALQM2HP 2,2uH 1000mA 25% MLT6.35 100..10003-4 дня
LQM2HPN4R7MG0L MURATALQM2HP 4,7uH 1100mA 20% MLT6.63 100..10003-4 дня
LQM31PN4R7M00L MURATALQM31P 4,7uH 0,7A 20% MLT7.76 100..10003-4 дня
LQP15MN2N2B02D 0402MURATASMD индуктивность тонкоплёночная 2.2nH ?0.1nH 220mA2.54 >10003-4 дня
LQP15MN3N3B02D MURATAInd RF Chip Unshielded Thin Film 3.3nH 0.1nH 500MHz 13Q-Factor Ceramic 190mA 400mOhm DCR 0402 T5.01 заказ
LQP15MN3N6B02D 0402MURATALQP15MN 3,6nH 170mA 0,1nH TFT1.38 >10003-4 дня
LQP15MN5N6B02D 0402MURATASMD индуктивность тонкоплёночная 5.6nH ?0.1nH 140mA3.30 >10003-4 дня
LQW15AN10NG00D 0402MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0402 T/R5.06 >10003-4 дня
LQW15AN10NJ00D 0402MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0402 T/R5.32 >10003-4 дня
LQW15AN12NJ00D 0402MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 500mA 140mOhm DCR 0402 T/R8.55 >10003-4 дня
LQW15AN15NJ00D 0402MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 15nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 460mA 160mOhm DCR 0402 T/R5.01 >10003-4 дня
LQW15AN18NG00D 0402MURATA3.73 100..10003-4 дня
LQW15AN1N5B00D 0402MURATA0402 1.5nH 0.1nH3.68 >10003-4 дня
LQW15AN22NJ00D 0402MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 310mA 300mOhm DCR 04023.40 >10003-4 дня
LQW15AN2N7C00D 0402MURATA0402 2.7nH ? 0.2nH 5.01 100..10003-4 дня
LQW15AN33NJ00D 0402MURATA0402 33nH 5%2.55 >10003-4 дня
LQW15AN39NG00D 0402MURATAInductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0402 T/R4.84 100..10003-4 дня
LQW15AN3N3D10D 0402MURATA3.25 >10003-4 дня
LQW15AN5N6C10D 0402MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.2nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 800mA 51mOhm DCR 0402 T/7.19 100..10003-4 дня
LQW15AN6N8G00D 0402MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/R7.10 100..10003-4 дня
LQW15AN7N5G00D 0402MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 570mA 130mOhm DCR 0402 T/R7.50 100..10003-4 дня
LQW15AN8N2G00D 0402MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 540mA 140mOhm DCR 0402 T/R3.82 >10003-4 дня
LQW15ANR10J00D 0402MURATALQW15A 0,10uH 120mA 5% WWT3.43 >10003-4 дня
LQW15ANR12J00D 0402MURATALQW15A 0,12uH 110mA 5% WWT3.74 >10003-4 дня
LQW18AN10NJ00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm3.65 100..10003-4 дня
LQW18AN12NG00D 0603MURATA4.72 >10003-4 дня
LQW18AN12NJ00D 0603MURATA4.50 >10003-4 дня
LQW18AN15NG00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 15nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R4.37 >10003-4 дня
LQW18AN18NG00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R4.67 >10003-4 дня
LQW18AN22NG00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0603 T/R4.49 >10003-4 дня
LQW18AN22NJ00D 0603MURATACHIP INDUCTOR WIRE WOUND 0603 22nH ?5% 500mA5.06 >10003-4 дня
LQW18AN27NJ00D 0603MURATAWire Wound Chip Inductor 0603 27nH ? 5%4.94 >10003-4 дня
LQW18AN2N2D00D 0603MURATALQW18AN 2,2nH 700mA +-0,5nH WWT6.23 >10003-4 дня
LQW18AN33NG00D 0603MURATA5.39 >10003-4 дня
LQW18AN33NJ00D 0603MURATA4.30 >10003-4 дня
LQW18AN39NG00D 0603MURATA4.70 >10003-4 дня
LQW18AN3N9D00D 0603MURATA7.69 заказ
LQW18AN47NG00D 0603MURATA5.39 >10003-4 дня
LQW18AN47NJ00D 0603MURATAInductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R4.64 >10003-4 дня
LQW18AN56NG00D 0603MURATA8.05 заказ
LQW18AN56NJ00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 5% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 360mA 350mOhm3.93 >10003-4 дня
LQW18AN68NG00D 0603MURATA8.99 >10003-4 дня
LQW18AN68NJ00D 0603MURATALQW18A 68nH 340mA 5% WWT3.61 100..10003-4 дня
LQW18AN82NG00D 0603MURATA5.47 >10003-4 дня
LQW18AN82NJ00D 0603MURATALQW18AN 82nH 250mA 5% WWT4.44 >10003-4 дня
LQW18AN8N2D00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 06034.41 >10003-4 дня
LQW18ANR10G00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 2% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 220mA 680mOhm DCR 0603 T/R4.97 >10003-4 дня
LQW18ANR10J00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 5% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 220mA 680mOhm DCR 0603 T/R4.60 >10003-4 дня
LQW18ANR12J00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 180mA 1.3Ohm DCR 06034.76 >10003-4 дня
LQW18ANR22J00D 0603MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 120mA 2.5Ohm DCR 0603 T/R2.79 >10003-4 дня
LQW18ANR27G00D 0603MURATA3.99 100..10003-4 дня
LQW18ANR33G00D 0603MURATALQW18A 330nH 85mA 2% WWT6.61 100..10003-4 дня
LQW18ANR47J00D 0603MURATALQW18A 470nH 75mA 5% WWT3.89 >10003-4 дня
LQW21HN1R0J00L MURATALQW21HN 1,0uH 115mA 5%10.93 100..10003-4 дня
LQW2BHN10NJ03L 0805MURATAInductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 1.32A 30mOhm DCR 0805 T/R9.81 >10003-4 дня
LQW2BHN15NJ03L 0805MURATALQW2BH 0,015uH 630mA 5% WWT10.51 100..10003-4 дня
LQW2BHN47NJ03L 0805MURATA11.07 >10003-4 дня
LQW2BHNR10J03L 0805MURATAInd RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 350mA 380mOhm DCR 0805 T/R9.93 >10003-4 дня
LQW2BHNR33KN 0805MURATAПроволочная чип индуктивность 0805 330nH ?10%, 180mA13.43 100..10003-4 дня
LVS404018-2R2M-N SMD 4*4*1.CHILISINSealed Power Inductor 2.2uF ?20%, 2.5A, 60mOhm12.78 >10003-4 дня
LVS606028-2R7M-N SMD 6*6*2.CHILISINSealed Power Inductor 2.7uF ?20%, 3.7A, 26mOhm44.13 заказ
LVS606028-3R3M-N SMD 6*6*2.CHILISINSealed Power Inductor 3.3uF ?20%, 3.5A, 28mOhm44.13 заказ
LVS606045-221M-N SMD 6*6*4.CHILISINSealed Power Inductor 220uF ?20%, 0.35A, 1.8Ohm16.30 >10003-4 дня
MHCB06030-2R2M-C1 6.6*6.95*2CHILISINMolding Power Choke20.22 заказ
MHCB06030-3R3M-C1 6.6*6.95*2CHILISINMolding Power Choke20.22 заказ
MLP2520S100S 1008TDKSMD Power inductor 1008 L=10uH, I=700mA, Rdc=280mOhm17.23 100..10003-4 дня
MLP2520S1R0S 1008TDKSMD Power inductor 1008 L=1uH, I=1500mA, Rdc=80mOhm12.39 >10003-4 дня
MLP2520S2R2S 1008TDKSMD Power inductor 1008 L=2.2uH, I=1200mA, Rdc=110mOhm11.36 >10003-4 дня
MLP2520S3R3S 1008TDKSMD Power inductor 1008 L=3.3uH, I=1000mA, Rdc=110mOhm11.36 >10003-4 дня
MLP2520S4R7S 1008TDKSMD Power inductor 1008 L=4.7uH, I=1000mA, Rdc=110mOhm9.30 >10003-4 дня
MLZ2012M100WT 0805TDKSMD Decoupling inductor 0805 L=10uH, I=150mA, Rdc=0.47 Ohms3.55 заказ
MLZ2012M470WT 0805TDKSMD Decoupling inductor 0805 L=47uH, I=50mA, Rdc=3700mOhm5.87 >10003-4 дня
MLZ2012N100LT 0805TDKSMD Decoupling inductor 0805 L=10uH, I=110mA, Rdc=300mOhm6.85 100..10003-4 дня
MLZ2012N101LT 0805TDKSMD Decoupling inductor 0805 L=100uH, I=30mA, Rdc=3500mOhm6.52 >10003-4 дня
MLZ2012N1R0LT 0805TDKSMD Decoupling inductor 0805 L=1uH, I=220mA, Rdc=60mOhm6.54 >10003-4 дня
MLZ2012N220LT 0805TDKSMD Decoupling inductor 0805 L=22uH, I=70mA, Rdc=670mOhm5.87 >10003-4 дня
MLZ2012N2R2LT 0805TDKSMD Decoupling inductor 0805 L=2.2uH, I=170mA, Rdc=120mOhm3.65 >10003-4 дня
MLZ2012N4R7LT 0805TDKSMD Decoupling inductor 0805 L=4.7uH, I=130mA, Rdc=180mOhm3.65 >10003-4 дня
NL252018T- R15K-N 1008YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 150nH ?10%, 900mA4.80 >10003-4 дня
NL252018T-82N -S 1008KOMESMD Wire Wound Chip Inductor 82nH ?10%, 1230mA2.00 100..10003-4 дня
NL322522T-100K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 10uH ?10%, 150mA8.25 заказ
NL322522T-101K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 100uH ?10%, 40mA7.68 заказ
NL322522T-121K-N 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 120uH ?10%, 70mA9.36 >10003-4 дня
NL322522T-151K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 150uH ?10%, 65mA7.62 1..103-4 дня
NL322522T-181K-N 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 180uH ?10%, 60mA5.62 >10003-4 дня
NL322522T-220K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 22uH ?10%, 110mA7.75 заказ
NL322522T-2R2K-N 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 2.2uH ?10%, 320mA3.43 >10003-4 дня
NL322522T-3R3K-N 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 3.3uH ?10%, 260mA4.21 >10003-4 дня
NL322522T-3R9K-N 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 3.9uH ?10%, 250mA3.43 >10003-4 дня
NL322522T-470K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 47uH ?10%, 60mA7.68 заказ
NL322522T-5R6K-N 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 5.6uH ?10%, 200mA4.20 100..10003-4 дня
NL322522T-680K-S 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 68uH ?10%, 50mA4.20 100..10003-4 дня
NL322522T-820K-S 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 82uH ?10%, 45mA3.16 10..1003-4 дня
NL322522T-R10K-N 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 0.1uH ?10%, 450mA4.35 >10003-4 дня
NL453232T-100J-PF 1812TDKSMD Wire Wound Chip Inductor 10uH ?10%, 250mA13.24 >10003-4 дня
NL453232T-101J-PF 1812TDKSMD Wire Wound Chip Inductor 100uH ?10%, 110mA16.62 100..10003-4 дня
NL453232T-102J-PF 1812TDK1000uF 1812 30mA17.43 заказ
NL453232T-102K-N 1812CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 1000uH ?10%, 30mA7.80 100..10003-4 дня
NL453232T-181K-N 1812YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 180uH ?10%, 102mA7.03 >10003-4 дня
NL453232T-1R0J-PF 1812TDK1uH 450mA ?5% катушки постоянной индуктивности SMD 1812 inch Wound Ferrite Unshielded // блистерная 18.31 100..10003-4 дня
NL453232T-1R0K-S 1812YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 1uH ?10%, 450mA10.29 >10003-4 дня
NL453232T-220J-PF 1812TDK22мкГн 5% 180мА # 1812 / для сигнальных линий / лента в катушке12.67 заказ
NL453232T-221J-PF 1812TDKСигнальный дроссель 4х100uH17.96 100..10003-4 дня
NL453232T-2R7J-PF 1812TDKКатушка 2.7uH 370mA ?5%12.67 заказ
NL453232T-330K-N 1812CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 33uH ?10%, 160mA7.77 >10003-4 дня
NL453232T-331K-N 1812CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 330uH ?10%, 85mA7.77 >10003-4 дня
NL453232T-3R3J-PF 1812TDKSMD Wire Wound Chip Inductor 3.3uH ?10%, 355mA18.32 100..10003-4 дня
NL453232T-470J-PF 1812TDKInductor RF Chip Unshielded Wirewound 47uH 5% 2.52MHz 50Q-Factor Ferrite 140mA 5Ohm DCR 1812 T/R16.73 100..10003-4 дня
NL453232T-470K-N 1812YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 47uH ?10%, 140mA10.93 >10003-4 дня
NL453232T-471K-N 1812YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 470uH ?10%, 62mA4.45 10..1003-4 дня
NL453232T-4R7J-PF 1812TDKSMD Wire Wound Chip Inductor 4.7uH ?10%, 315mA16.78 100..10003-4 дня
NL453232T-561K-N 1812YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 560uH ?10%, 50mA7.52 1..103-4 дня
NL453232T-680K-S 1812YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 68uH ?10%, 130mA4.22 >10003-4 дня
NL453232T-681K-N 1812CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 680uH ?10%, 50mA5.05 >10003-4 дня
NL453232T-R10K-S 1812YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 0.1uH ?10%, 450mA4.46 >10003-4 дня
NL453232T-R47K-N 1812YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 0.47uH ?10%, 450mA4.22 >10003-4 дня
NLC322522T-100K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 10uH ?10%, 520mA2.00 заказ
NLC322522T-101K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 100uH ?10%, 145mA18.61 заказ
NLC322522T-220K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 22uH ?10%, 310mA29.22 заказ
NLC322522T-270K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 27uH ?10%, 280mA15.31 заказ
NLC322522T-331K-N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 330uH ?10%, 80mA11.04 100..10003-4 дня
NLC322522T-470K -N 1210CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 47uH ?10%, 210mA12.04 заказ
NLC322522T-471K-S 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 470uH ?10%, 75mA8.33 >10003-4 дня
NLC453232T-220K-PF 1812TDK22мкГн 10% 370мА # 1812 / для сигнальных линий / лента в катушке12.20 заказ
NLCV32T-100K-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=10uH, I=450mA, Rdc=360mOhm7.12 100..10003-4 дня
NLCV32T-101K-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=100uH, I=120mA, Rdc=3700mOhm10.15 >10003-4 дня
NLCV32T-150K-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=15uH, I=370mA, Rdc=560mOhm11.33 >10003-4 дня
NLCV32T-151K-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=150uH, I=100mA, Rdc=6100mOhm5.73 100..10003-4 дня
NLCV32T-1R0M-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=1uH, I=1000mA, Rdc=60mOhm10.36 >10003-4 дня
NLCV32T-2R2M-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=2.2uH, I=770mA, Rdc=130mOhm8.69 100..10003-4 дня
NLCV32T-330K-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=33uH, I=240mA, Rdc=1100mOhm5.73 100..10003-4 дня
NLCV32T-331K-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=330uH, I=70mA, Rdc=12300mOhm10.15 >10003-4 дня
NLCV32T-3R3M-PF 1210TDKSMD Wire Wound Chip Inductor 4.7uH ?20%, 690mA9.58 заказ
NLCV32T-470K-PF 1210TDKSMD Wire Wound Chip Inductor 4.7uH ?10%, 180mA9.59 >10003-4 дня
NLCV32T-4R7M-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=4.7uH, I=620mA, Rdc=200mOhm7.36 >10003-4 дня
NLCV32T-680K-PF 1210TDKSMD Decoupling inductor 1210 L=68uH, I=140mA, Rdc=2800mOhm5.73 >10003-4 дня
NLFV25T-220K-EF 1008TDK22uH/0.105A/1 Ohm 2.52 MHz8.03 заказ
NLV25T-101J-PF 1008TDK100uH 60mA ?5% катушки постоянной индуктивности SMD 1008 inch Wound Ferrite Unshielded // катушка8.94 >10003-4 дня
NLV32T-100J-PF 1210TDKSMD Wire Wound Chip Inductor 10uH ?10%, 150mA7.68 >10003-4 дня
NLV32T-101J-PF 1210TDKInductor RF Chip Unshielded Wirewound 100uH 5% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 40mA 10Ohm DCR 1210 T/R10.57 >10003-4 дня
NLV32T-120J-PF 1210TDKInductor RF Chip Unshielded Wirewound 12uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 140mA 2.5Ohm DCR 1210 T/R10.15 >10003-4 дня
NLV32T-180J-PF 1210TDKInductor RF Chip Unshielded Wirewound 18uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 120mA 3.3Ohm DCR 1210 T/R10.15 >10003-4 дня
NLV32T-1R0J-PF 1210TDKInductor RF Chip Unshielded Wirewound 1uH 5% 7.96MHz 30Q-Factor Ferrite 400mA 700mOhm DCR 1210 T/R6.81 >10003-4 дня
NLV32T-220J-PF 1210TDKInductor RF Chip Unshielded Wirewound 22uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 110mA 3.7Ohm DCR 1210 T/R4.52 >10003-4 дня
NLV32T-221J-PF 1210TDKInductor RF Chip Unshielded Wirewound 220uH 5% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 50mA 21Ohm DCR 1210 T/R6.35 >10003-4 дня
NLV32T-270J-PF 1210TDKInductor RF Chip Unshielded Wirewound 27uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 80mA 5Ohm DCR 1210 T/R10.15 >10003-4 дня
NLV32T-271J-PF 1210TDKИндуктивность 270uH 45mA10.71 заказ
NLV32T-390J-PF 1210TDK3.61 заказ
NLV32T-470J-PF 1210TDKInductor RF Chip Unshielded Wirewound 47uH 5% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 60mA 7Ohm DCR 1210 T/R10.15 >10003-4 дня
NLV32T-8R2J-PF 1210TDK11.04 заказ
NLV453232T-220K-N 1812CHILISINSMD Wire Wound Chip Inductor 22uH ?10%, 180mA7.19 заказ
PFC3519QM-102KXXB-01 TDKДроссель для коррекции коэффициента мощности14'932.50 заказ
PFC3819QM-102K05B-01 TDKДроссель для коррекции коэффициента мощности132.55 >10003-4 дня
PLA10AN1230R6R2B MURATAДроссель синфазный 2X12mH 300VAC 600mA37.25 100..10003-4 дня
PLA10AN1522R0R2B MURATAДроссель синфазный 2X1.5mH 300VAC 2A48.88 100..10003-4 дня
PLA10AN2030R5R2B MURATAДроссель синфазный 2X20mH 300VAC 500mA54.94 100..10003-4 дня
PLA10AN2221R5R2B MURATAДроссель синфазный 2X2.2mH 300VAC 1.5A35.87 100..10003-4 дня
PLA10AN3030R4R2B MURATAДроссель синфазный 2X30mH 300VAC 400mA53.80 100..10003-4 дня
PLA10AN3521R2R2B MURATAДроссель синфазный 2X3.5mH 300VAC 1.2A28.28 100..10003-4 дня
PLA10AN3621R0D2B MURATAДроссель синфазный 2X3.6mH 300VAC 1A37.54 100..10003-4 дня
PLA10AN3630R3D2B MURATAДроссель синфазный 2X36mH 300VAC 300mA42.64 100..10003-4 дня
PLA10AN4330R3R2B MURATAДроссель синфазный 2X43mH 300VAC 300mA49.04 100..10003-4 дня
PLA10AN5521R0R2B MURATAДроссель синфазный 2X5.5mH 300VAC 1A58.35 100..10003-4 дня
PLA10AS1030R7R2B MURATAДроссель синфазный 2X10mH 250VAC 700mA46.40 100..10003-4 дня
PLA10AS1230R6R2B MURATAДроссель синфазный 2X12mH 250VAC 600mA35.88 100..10003-4 дня
PLA10AS1330R5D2B MURATAДроссель синфазный 2X13mH 250VAC 500mA67.63 100..10003-4 дня
PLA10AS1522R0R2B MURATAДроссель синфазный 2X1.5mH 250VAC 2A41.10 100..10003-4 дня
PLA10AS1821R7R2B MURATAДроссель синфазный 2X1.8mH 250VAC 1.5A40.31 100..10003-4 дня
PLA10AS2030R5R2B MURATAДроссель синфазный 2X20mH 250VAC 500mA42.72 100..10003-4 дня
PLA10AS3030R4R2B MURATAДроссель синфазный 2X30mH 250VAC 400mA33.00 100..10003-4 дня
PLA10AS3630R3D2B MURATAДроссель синфазный 2X36mH 250VAC 300mA41.35 заказ
PLA10AS4330R3R2B MURATAДроссель синфазный 2X43mH 250VAC 300mA43.77 100..10003-4 дня
PLA10AS5521R0R2B MURATAДроссель синфазный 2X5.5mH 250VAC 1A37.53 100..10003-4 дня
PLA10AS7420R8R2B MURATAДроссель синфазный 2X7.4mH 250VAC 800mA37.65 100..10003-4 дня
PLT09HN2003R0P1B MURATA97.13 заказ
PLY10AN1130R5D2B MURATAДроссель синфазный гибридный 2X11mH 2X840uH 300VAC 500mA72.56 10..1003-4 дня
PLY10AN1430R5R2B MURATAДроссель синфазный гибридный 2X14mH 2X1000uH 300VAC 500mA99.01 100..10003-4 дня
PLY10AN1521R6R2B MURATAДроссель синфазный гибридный 2X1.5mH 2X110uH 300VAC 1.6A47.47 100..10003-4 дня
PLY10AN3521R0D2B MURATAДроссель синфазный гибридный 2X3.5mH 2X240uH 300VAC 1A68.53 10..1003-4 дня
PLY10AN4321R0R2B MURATAДроссель синфазный гибридный 2X4.3mH 2X300uH 300VAC 1A60.87 100..10003-4 дня
PLY10AN4420R8D2B MURATAДроссель синфазный гибридный 2X4.4mH 2X320uH 300VAC 800mA69.85 заказ
PLY10AN8720R7R2B MURATAДроссель синфазный гибридный 2X8.7mH 2X530uH 300VAC 700mA46.83 10..1003-4 дня
PLY10AN9920R6R3B MURATAДроссель синфазный гибридный 2X9.9mH 2X690uH 300VAC 600mA69.78 10..1003-4 дня
PLY17BN3721R0B2B MURATAдроссели синфазные64.46 10..1003-4 дня
PLY17BN7820R7A2B MURATAДроссель синфазный гибридный 2X7.8mH 2X290uH 300VAC 700mA68.59 10..1003-4 дня
PLY17BN9612R0B2B MURATAдроссели синфазные65.20 10..1003-4 дня
RCH114NP-222KB SUMIDAДроссель Sumida17.96 заказ
RLB0712-100KL 6.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 10uH 10% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 1.116.96 100..10003-4 дня
RLB0712-101KL 6.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 3212.91 10..1003-4 дня
RLB0712-151KL 6.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 150uH 10% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 288.53 100..10003-4 дня
RLB0712-221KL 6.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 220uH 10% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 2618.29 100..10003-4 дня
RLB0712-330KL 6.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 33uH 10% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 6007.59 100..10003-4 дня
RLB0712-471KL 6.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 470uH 10% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 167.19 100..10003-4 дня
RLB0812-103KL 6.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 10000uH 10% 79.6KHz 60Q-Factor Ferri11.61 100..10003-4 дня
RLB0912-100KL 8.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 10uH 10% 1KHz 60Q-Factor Ferrite 2.514.40 100..10003-4 дня
RLB0912-3R3ML 8.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 3.3uH 10% 1KHz 60Q-Factor Ferrite 4.14.65 100..10003-4 дня
RLB0912-470KL 8.7*10BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 47uH 10% 1KHz 40Q-Factor Ferrite 1.516.67 100..10003-4 дня
RLB0914-100KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 10uH 10% 2.52MHz 50Q-Factor Ferrite 22.50 >10003-4 дня
RLB0914-101KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 796KHz 30Q-Factor 1.1A Bag19.54 100..10003-4 дня
RLB0914-102KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 1000uH 10% 252KHz 40Q-Factor 420mA 25.04 100..10003-4 дня
RLB0914-120KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 12uH 10% 2.52MHz 50Q-Factor Ferrite 8.95 10..1003-4 дня
RLB0914-151KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 150uH 10% 796KHz 30Q-Factor Ferrite 14.41 100..10003-4 дня
RLB0914-180KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 18uH 10% 2.52MHz 40Q-Factor Ferrite 8.92 100..10003-4 дня
RLB0914-181KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 180uH 10% 796KHz 30Q-Factor Ferrite 17.05 100..10003-4 дня
RLB0914-221KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 220uH 10% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 16.84 100..10003-4 дня
RLB0914-270KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 27uH 10% 2.52MHz 40Q-Factor Ferrite 24.65 >10003-4 дня
RLB0914-271KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 270uH 10% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 24.99 заказ
RLB0914-330KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 33uH 10% 2.52MHz 40Q-Factor Ferrite 16.91 100..10003-4 дня
RLB0914-331KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 330uH 10% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 19.63 100..10003-4 дня
RLB0914-3R3ML 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 3.3uH 20% 7.96MHz 20Q-Factor Ferrite14.41 100..10003-4 дня
RLB0914-470KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 47uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 19.82 100..10003-4 дня
RLB0914-4R7ML 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 4.7uH 20% 7.96MHz 20Q-Factor Ferrite15.97 100..10003-4 дня
RLB0914-680KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 68uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 13.80 >10003-4 дня
RLB0914-681KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 680uH 10% 796KHz 20Q-Factor Ferrite 14.62 100..10003-4 дня
RLB0914-820KL 8.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 82uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 8.99 100..10003-4 дня
RLB1314-100KL 11.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 10uH 10% 1KHz 140Q-Factor Ferrite 3.21.81 100..10003-4 дня
RLB1314-101KL 11.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 1KHz 70Q-Factor Ferrite 1A31.81 100..10003-4 дня
RLB1314-103KL 11.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 10000uH 10% 1KHz 80Q-Factor Ferrite 20.82 100..10003-4 дня
RLB1314-220KL 11.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 22uH 10% 1KHz 110Q-Factor Ferrite 2.19.30 100..10003-4 дня
RLB1314-221KL 11.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 220uH 10% 1KHz 40Q-Factor Ferrite 6819.01 100..10003-4 дня
RLB1314-332KL 11.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 3300uH 10% 1KHz 50Q-Factor Ferrite 133.41 100..10003-4 дня
RLB1314-3R3ML 11.7*12BOURNSИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 3.3uH 10% 1KHz 90Q-Factor Ferrite 5.20.18 100..10003-4 дня
SAO-3.15-1000 TALEMAДроссель 3.15A/1000uH для импульсных источников питания. Открытого типа.340.24 1..103-4 дня
SAO-4.0-68 TALEMAДроссель 4A/68uH для импульсных источников питания. Открытого типа 24x11mm.185.79 1..103-4 дня
SAO-5.0-68 TALEMAДроссель 5A/68uH для импульсных источников питания. Открытого типа 25x11mm.187.17 1..103-4 дня
SAV-5.0-68 TALEMAДроссель 5A/68uH для импульсных источников питания. В корпусе, вертикальный монтаж 30x15.0x31.7mm.253.55 1..103-4 дня
SCD0403T-100M-N SMD 4.5*4*CHILISINSMD Unshielded Power Inductors 10uH ?20%, 1.15A, 0.182Ohm14.02 заказ
SCD0403T-101K-N SMD 4.5*4*CHILISINSMD Unshielded Power Inductors 100uH ?10%, 0.4A, 2Ohm14.02 заказ
SCD0504T-220M-N SMD 5.8*5.CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 22uH ?20%, 1.11A, 0.180Ohm13.18 заказ
SCD0504T-221M-N SMD 5.8*5.CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 220uH ?20%, 0.35A, 1.57Ohm11.74 заказ
SCD0504T-330M-N SMD 5.8*5.CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 33uH ?20%, 0.88A, 0.23Ohm11.74 заказ
SCD0703T-100M-N SMD 7.8*7*CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 10uH ?20%, 1.44A, 0.08Ohm14.76 >10003-4 дня
SCD0703T-270M-N SMD 7.8*7*YAGEOSMD Unshielded Power Inductor 27uH ?20%, 0.94A, 0.15Ohm14.17 100..10003-4 дня
SCD0703T-271K-N SMD 7.8*7*CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 27uH ?10%, 0.29A, 1.31Ohm17.18 заказ
SCD0705T-100K-N SMD 7.8*7*YAGEOSMD Unshielded Power Inductor 10uH ?10%, 2.3A, 0.07Ohm16.05 >10003-4 дня
SCD0705T-101K-N SMD 7.8*7*CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 100uH ?20%, 0.72A, 0.43Ohm17.43 >10003-4 дня
SCD0705T-220K-N SMD 7.8*7*CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 22uH ?10%, 1.5A, 0.11Ohm16.37 >10003-4 дня
SCD0705T-221K-N SMD 7.8*7*CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 220uH ?10%, 0.49A, 0.96Ohm16.05 100..10003-4 дня
SCD0705T-330K-N SMD 7.8*7*CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 33uH ?10%, 1.2A, 0.13Ohm11.74 заказ
SCD0705T-331K-N SMD 7.8*7*YAGEOSMD Unshielded Power Inductor 330uH ?10%, 0.40A, 1.26Ohm6.61 >10003-4 дня
SCD0705T-470K-N SMD 7.8*7*YAGEOSMD Unshielded Power Inductor 47uH ?10%, 1.1A, 0.18Ohm16.05 >10003-4 дня
SCD0705T-680K-N SMD 7.8*7*CHILISINSMD Unshielded Power Inductor 68uH ?10%, 0.85A, 0.28Ohm11.74 заказ
SCD0705T-6R8M-N SMD 7.8*7*YAGEOSMD Unshielded Power Inductor 6.8uH ?20%, 3.1A, 0.04Ohm6.85 >10003-4 дня
SCDS127T-150M-N SMD 12.5*1YAGEOSMD Shielded Power Inductor 15uH ?20%, 4.5A, 27mOhm18.55 >10003-4 дня
SCDS127T-181M-N SMD 12.5*1YAGEOSMD Shielded Power Inductor 180uH ?20%, 1.3A, 0.35Ohm20.20 >10003-4 дня
SCDS127T-220M-N SMD 12.5*1YAGEOSMD Shielded Power Inductor 22uH ?20%, 3.6A, 43.2mOhm29.11 >10003-4 дня
SCDS127T-221M-N SMD 12.5*1YAGEOSMD Shielded Power Inductor 180uH ?20%, 1.16A, 0.39Ohm18.55 >10003-4 дня
SCDS127T-330M-N SMD 12.5*1YAGEOSMD Shielded Power Inductor 33uH ?20%, 3A, 64.8mOhm22.04 >10003-4 дня
SCDS127T-331M-N SMD 12.5*1YAGEOSMD Shielded Power Inductor 330uH ?20%, 0.95A, 0.64Ohm31.23 >10003-4 дня
SCDS127T-7R6M-N SMD 12.5*1YAGEOSMD Shielded Power Inductor 7.6uH ?20%, 5.9A, 20mOhm20.20 >10003-4 дня
SCDS74T-100M-N SMD 7.3*7.YAGEOSMD Shielded Power Inductor 10uH ?20%, 1.84A, 49mOhm14.86 заказ
SDR0302-100ML SMD 3*2.8*BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 10uH 20% 1KHz 18Q-Factor Ferrite 800mA 250mO9.64 100..10003-4 дня
SDR0302-101KL SMD 3*2.8*BOURNSInductor Power Wirewound 100uH 10% 100KHz 40Q-Factor Ferrite 260mA 2.85Ohm DCR Automotive T/R13.83 >10003-4 дня
SDR0302-330KL SMD 3*2.8*BOURNSInductor Power Wirewound 33uH 10% 100KHz 20Q-Factor Ferrite 420mA 850mOhm DCR Automotive T/R13.29 >10003-4 дня
SDR0403-100ML SMD 4.5*4*BOURNS26.97 заказ
SDR0403-101KL SMD 4.5*4*BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 1KHz 35Q-Factor Ferrite 350mA 1.9O13.31 100..10003-4 дня
SDR0403-150ML SMD 4.5*4*BOURNS18.93 заказ
SDR0403-1R0ML SMD 4.5*4*BOURNS22.60 заказ
SDR0403-3R3ML SMD 4.5*4*BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 3.3uH 20% 1KHz 28Q-Factor Ferrite 2.15A 58mO11.22 100..10003-4 дня
SDR0403-470KL SMD 4.5*4*BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 47uH 10% 1KHz 20Q-Factor 540mA T&R13.83 100..10003-4 дня
SDR0403-4R7ML SMD 4.5*4*BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 4.7uH 20% 1KHz 28Q-Factor 1.7A15.40 100..10003-4 дня
SDR0403-820KL SMD 4.5*4*BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 82uH 10% 1KHz 25Q-Factor Ferrite 420mA 1.27O6.35 100..10003-4 дня
SDR0604-100ML SMD 5.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 10uH 20% 1KHz 30Q-Factor Ferrite 1.45A 100mO20.54 100..10003-4 дня
SDR0604-101KL SMD 5.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 520mA 700m20.09 100..10003-4 дня
SDR0604-151KL SMD 5.8*5.BOURNSInductor Power Wirewound 150uH 10% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 400mA 1.1Ohm DCR Automotive T/R13.56 >10003-4 дня
SDR0604-221KL SMD 5.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 220uH 10% 1KHz 20Q-Factor 350mA T&R18.02 заказ
SDR0604-2R2ML SMD 5.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 2.2uH 20% 1KHz 33Q-Factor 2.8A T&R15.87 100..10003-4 дня
SDR0604-330KL SMD 5.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 33uH 10% 1KHz 24Q-Factor Ferrite 880mA 250mO13.68 100..10003-4 дня
SDR0604-331KL SMD 5.8*5.BOURNSInductor Power Wirewound 330uH 10% 1KHz 25Q-Factor Ferrite 270mA 2.25Ohm DCR Automotive T/R18.44 100..10003-4 дня
SDR0604-3R3ML SMD 5.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 3.3uH 20% 1KHz 22Q-Factor Ferrite 2A 70mOhm 21.13 100..10003-4 дня
SDR0604-470KL SMD 5.8*5.BOURNSInductor Power Wirewound 47uH 10% 1KHz 22Q-Factor Ferrite 720mA 370mOhm DCR Automotive T/R15.50 100..10003-4 дня
SDR0604-471KL SMD 5.8*5.BOURNSInductor Power Wirewound 470uH 10% 1KHz 25Q-Factor Ferrite 210mA 3.3Ohm DCR Automotive T/R14.03 100..10003-4 дня
SDR0604-4R7ML SMD 5.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 4.7uH 20% 1KHz 20Q-Factor Ferrite 1.8A 80mOh21.54 100..10003-4 дня
SDR0604-680KL SMD 5.8*5.BOURNSInductor Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 22Q-Factor Ferrite 620mA 520mOhm DCR Automotive T/R11.05 100..10003-4 дня
SDR0805-100ML SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 10uH 20% 1KHz 25Q-Factor 2.3A 7mOhm DCR T/R19.34 100..10003-4 дня
SDR0805-101KL SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 1KHz 12Q-Factor Ferrite 720mA 450m17.05 100..10003-4 дня
SDR0805-102KL SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 1mH 10% 1KHz 27Q-Factor Ferrite 210mA 450mOh12.53 100..10003-4 дня
SDR0805-150ML SMD 7.8*5.BOURNSInductor Power Wirewound 15uH 20% 1KHz 25Q-Factor Ferrite 1.8A 90mOhm DCR T/R15.13 100..10003-4 дня
SDR0805-181KL SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 180uH 10% 1KHz 12Q-Factor Ferrite 510mA 770m25.09 100..10003-4 дня
SDR0805-220ML SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 22uH 20% 1KHz 20Q-Factor 1.5A T&R17.01 100..10003-4 дня
SDR0805-221KL SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 220uH 10% 1KHz 12Q-Factor Ferrite 490mA 960m19.44 100..10003-4 дня
SDR0805-330KL SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 33uH 10% 1KHz 15Q-Factor 1.2A17.01 100..10003-4 дня
SDR0805-331KL SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 330uH 10% 1KHz 12Q-Factor 400mA T&R17.10 100..10003-4 дня
SDR0805-3R3ML SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 3.3uH 20% 1KHz 32Q-Factor Ferrite 4.5A15.71 100..10003-4 дня
SDR0805-470KL SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 47uH 10% 1KHz 15Q-Factor Ferrite 1A 20mOhm 20.31 1..103-4 дня
SDR0805-471KL SMD 7.8*5.BOURNS18.07 100..10003-4 дня
SDR0805-4R7ML SMD 7.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 4.7uH 20% 1KHz 31Q-Factor Ferrite 3.7A14.91 100..10003-4 дня
SDR1005-682KL SMD 12.7*1BOURNS28.87 10..1003-4 дня
SDR1006-100ML SMD 9.8*5.BOURNS35.11 100..10003-4 дня
SDR1006-101KL SMD 9.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 1KHz 15Q-Factor 970mA T&R30.65 >10003-4 дня
SDR1006-102KL SMD 9.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 1mH 10% 1KHz 30Q-Factor 230mA T&R21.31 100..10003-4 дня
SDR1006-220ML SMD 9.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 22uH 20% 1KHz 25Q-Factor 1.95A T&R27.60 заказ
SDR1006-221KL SMD 9.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 220uH 10% 1KHz 12Q-Factor Ferrite 660mA 730m27.74 100..10003-4 дня
SDR1006-271KL SMD 9.8*5.BOURNSInd Power Wirewound; SMD; 270uH 10% 1KHz 12Q-Factor 570mA T&R20.12 100..10003-4 дня
SDR1006-330KL SMD 9.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 33uH 10% 1KHz 25Q-Factor 1.5A28.93 100..10003-4 дня
SDR1006-331KL SMD 9.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 330uH 10% 1KHz 12Q-Factor Ferrite 520mA 1.1538.62 100..10003-4 дня
SDR1006-680KL SMD 9.8*5.BOURNS30.52 100..10003-4 дня
SDR1006-6R8ML SMD 9.8*5.BOURNSSMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 6.8uH 20% 1KHz 33Q-Factor Ferrite 3.4A 44mOh44.09 100..10003-4 дня
SDR1307-101KL BOURNSInductor Power Wirewound 100uH 10% 100KHz 25Q-Factor Ferrite 1.9A 180mOhm DCR T/R40.12 100..10003-4 дня
SH150S-0.45-26 SMD 6.9*9.TALEMA26uH 0.46A /0.62 Ohms 150kHz12.53 1..103-4 дня
SH150S-0.67-115 SMD 11.7*1TALEMA115uH 0.67A /0.40 Ohms 150kHz103.90 100..10003-4 дня
SH150S-0.68-377 SMD 12.9*1TALEMA377uH 0.68A /1.0 Ohms 50kHz17.64 1..103-4 дня
SH150S-0.68-39 SMD 9.1*11TALEMA39uH 0.68A /0.30 Ohms 150kHz29.99 10..1003-4 дня
SH150S-0.82-78 SMD 11.7*1TALEMA78uH 0.82A /0.30 Ohms 150kHz22.78 10..1003-4 дня
SH150S-0.83-248 SMD 12.9*1TALEMA248uH 0.83A /0.60 Ohms 50kHz97.82 10..1003-4 дня
SH150S-0.84-26 SMD 9.1*11TALEMA26uH 0.84A /0.20 Ohms 150kHz17.17 10..1003-4 дня
SH150S-1.02-168 SMD 12.9*1TALEMA168uH .02A /0.40 Ohms 50kHz108.86 10..1003-4 дня
SH150S-1.02-17 SMD 9.1*11TALEMA17uH 1.02A /0.10 Ohms 150kHz14.73 10..1003-4 дня
SH150S-1.20-38 SMD 11.7*1TALEMA38uH 1.2A /0.10 Ohms 150kHz19.02 10..1003-4 дня
SH150S-1.26-112 SMD 12.9*1TALEMA112uH 1.26A /0.30 Ohms 150kHz129.73 заказ
SH150S-1.50-250 SMD 21.4*1TALEMA250uH 1.50A /0.23 Ohms 150kHz34.13 1..103-4 дня
SH150S-1.54-77 SMD 12.9*1TALEMA77uH 1.54A /0.20 Ohms 150kHz111.32 10..1003-4 дня
SH150S-1.81-168 SMD 21.4*1TALEMA168uH 1.81A /0.18 Ohms 150kHz30.22 10..1003-4 дня
SH150S-1.87-53 SMD 12.9*1TALEMA53uH 1.87A /0.13 Ohms 150kHz30.22 10..1003-4 дня
SH150S-2.22-114 SMD 21.4*1TALEMA114uH 2.22A /0.10 Ohms 150kHz40.86 100..10003-4 дня
SH150S-2.24-37 SMD 12.9*1TALEMA37uH 2.24A /0.10 Ohms 150kHz49.02 10..1003-4 дня
SH150S-2.50-167 SMD 27.9*2TALEMA167uH 2.50A /0.14 Ohms 150kHz49.01 1..103-4 дня
SH150S-2.74-24 SMD 12.9*1TALEMA24uH 2.74A /0.07 Ohms 150kHz19.99 1..103-4 дня
SH150S-3.00-110 SMD 27.9*2TALEMA110uH 3.0A /0.09 Ohms 150kHz264.31 1..103-4 дня
SH150S-3.00-17 SMD 12.9*1TALEMA17uH 3.0A /0.05 Ohms 150kHz20.13 10..1003-4 дня
SH150S-3.00-25 SMD 15*16TALEMA25uH 3.0A /0.04 Ohms 150kHz28.41 1..103-4 дня
SH150S-3.00-38 SMD 21.4*1TALEMA38uH 3.0A /0.05 Ohms 150kHz172.27 1..103-4 дня
SH150S-3.00-53 SMD 21.4*1TALEMA53uH 3.0A /0.08 Ohms 150kHz175.93 10..1003-4 дня
SH150S-3.00-77 SMD 21.4*1TALEMA77uH 3.0A /0.08 Ohms 150kHz164.55 10..1003-4 дня
SH150S-4.50-19 SMD 21.4*1TALEMA19uH 4.5A /0.02 Ohms 150kHz30.89 10..1003-4 дня
SH260C-4.3-10 TALEMA10uH 4.3A/ 26 mOhm 260kHz86.77 1..103-4 дня
SH260C-4.9-23 TALEMA23uH 4.9A/ 36 mOhm 260kHz82.82 10..1003-4 дня
SH260C-5.0-15 TALEMA15uH 5.0A/ 23 mOhm 260kHz55.00 заказ
SH260C-5.0-23 TALEMA23uH 5.0A/ 26 mOhm 260kHz75.51 10..1003-4 дня
SH260C-5.0-33 TALEMA33uH 5.0A/ 47 mOhm 260kHz191.68 10..1003-4 дня
SH260C-5.0-50 TALEMA50uH 5.0A/ 50 mOhm 260kHz215.79 100..10003-4 дня
SH260F-5.0-10 TALEMA10uH 5.0A/ 25 mOhm 260kHz48.03 1..103-4 дня
SH260F-5.0-15 TALEMA15uH 5.0A/ 27 mOhm 260kHz118.51 10..1003-4 дня
SH260S-5.0-23 SMD 27.9*1TALEMA23uH 5.0A / 13 mOhm 260kHz51.67 10..1003-4 дня
SH260T-4.3-10 TALEMA10uH 4.3A/ 26 mOhm 260kHz74.66 10..1003-4 дня
SH260T-4.9-23 TALEMA23uH 4.9A/ 36 mOhm 260kHz171.84 10..1003-4 дня
SH50B-0.42-2200 TALEMA2200uH 0.42A/ 1.80 Ohms 50kHz113.03 10..1003-4 дня
SH50B-0.62-1500 TALEMAИндуктивность1500uH 0.62A/ 1.00 Ohms 50kHz. Для построения источников питания на базе м/сх LM2574, L135.22 10..1003-4 дня
SH50C-0.64-470 TALEMA470uH 0.64A/ 0.16 Ohms 50kHz129.95 10..1003-4 дня
SH50C-0.95-1000 TALEMA1000uH 0.95A/ 0.24 Ohms 50kHz189.96 10..1003-4 дня
SH50C-1.3-680 TALEMA680uH 1.3A/ 0.20 Ohms 50kHz81.12 10..1003-4 дня
SH50C-2.0-150 TALEMA150uH 2.0A/ 0.10 Ohms 50kHz134.70 100..10003-4 дня
SH50C-2.0-470 TALEMA470uH 2.0A/ 0.17 Ohms 50kHz147.03 10..1003-4 дня
SH50C-3.0-100 TALEMA100uH 3.0A/ 0.04 Ohms 50kHz127.18 10..1003-4 дня
SH50C-3.0-150 TALEMA150uH 3.0A/ 0.10 Ohms 50kHz125.66 10..1003-4 дня
SH50C-3.0-220 TALEMA220uH 3.0A/ 0.07 Ohms 50kHz76.37 10..1003-4 дня
SH50C-3.0-330 TALEMA330uH 3.0A/ 0.15 Ohms 50kHz170.33 1..103-4 дня
SH50C-3.0-47 TALEMA47uH 3.0A/ 0.05 Ohms 50kHz108.38 10..1003-4 дня
SH50C-5.0-36 TALEMA36uH 5.0A/ 0.02 Ohms 50kHz145.60 100..10003-4 дня
SH50F-0.85-680 TALEMA680uH 0.85A/ 1.25 Ohms 50kHz61.13 10..1003-4 дня
SH50F-0.9-330 TALEMA680uH 0.85A/ 1.25 Ohms 50kHz29.39 10..1003-4 дня
SH50F-1.4-220 TALEMA220uH 1.4A/ 0.38 Ohms 50kHz123.41 1..103-4 дня
SH50S-0.9-330 TALEMA138.79 1..103-4 дня
SH50S-2.0-150 SMD 21.4*1TALEMA150uH 2.0A /0.10 Ohms 50kHz28.76 1..103-4 дня
SH50T-1.4-176 TALEMA220uH 1.4A/ 0.14 Ohms 50kHz141.40 10..1003-4 дня
SL1016-102K 1000/0.65A 11*18R6Индуктивности высокочастотные20.79 100..10003-4 дня
SL1016-103K 10000/0.18A 11*18R6Индуктивности высокочастотные21.26 >10003-4 дня
SL1016-120K 12/7.5A 11*18R6Индуктивности высокочастотные15.48 100..10003-4 дня
SL1016-120K 12/7.5A 11*18R6Индуктивности высокочастотные15.48 100..10003-4 дня
SL1016-122K 1200/0.60A 11*18R6Индуктивности высокочастотные20.80 100..10003-4 дня
SL1016-150K 15/6.5A 11*18R6Индуктивности высокочастотные10.40 >10003-4 дня
SL1016-152K 1500/0.52A 11*18R6Индуктивности высокочастотные15.44 >10003-4 дня
SL1016-181K 180/1.6A 13*19YAGEOИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 180uH 10% 1KHz 1.6A 195mOhm DCR (рос34.05 100..10003-4 дня
SL1016-182K 1800/0.50A 11*18R6Индуктивности высокочастотные21.26 10..1003-4 дня
SL1016-220K 22/5.4A 11*18R6Индуктивности высокочастотные20.79 1..103-4 дня
SL1016-221K 220/1.4A 11*18R6Индуктивности высокочастотные21.26 >10003-4 дня
SL1016-222K 2200/0.45A 11*18R6Индуктивности высокочастотные20.66 >10003-4 дня
SL1016-223K 22000/0.10A 13*19YAGEOИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 22mH 10% 1KHz 100mA 23.4Ohm DCR (рос17.79 >10003-4 дня
SL1016-332K 3300/0.35A 11*18R6Индуктивности высокочастотные21.26 заказ
SL1016-391K 390/1.1A 11*18R6Индуктивности высокочастотные15.89 >10003-4 дня
SL1016-561K 560/0.95A 11*18R6Индуктивности высокочастотные20.66 >10003-4 дня
SL1016-682K 6800/0.25A 11*18R6Индуктивности высокочастотные20.66 100..10003-4 дня
SL1016-821K 820/0.75A 13*19YAGEOИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 820uH 10% 1KHz 750mA 890mOhm DCR (ро20.73 >10003-4 дня
SL1016-821K 820/0.75A 13*19YAGEOИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 820uH 10% 1KHz 750mA 890mOhm DCR (ро20.73 >10003-4 дня
SL1016-822K 8200/0.23A 11*18R6Индуктивности высокочастотные12.35 >10003-4 дня
SL1016-8R2K 8.2/10A 11*18R6Индуктивности высокочастотные20.50 100..10003-4 дня
SL1016T-100K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-100K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-101K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-101K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-102K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 1mH 10% 1KHz 650mA 1.5Ohm DCR (россы32.75 >10003-4 дня
SL1016T-103K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 10mH 10% 1KHz 180mA 11.7Ohm DCR (рос28.65 100..10003-4 дня
SL1016T-121K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 120uH 10% 1KHz 2A 128mOhm DCR (россы26.39 заказ
SL1016T-122K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 1.2mH 10% 1KHz 600mA 1.15Ohm DCR (ро20.73 100..10003-4 дня
SL1016T-123K-B-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 12mH 10% 1KHz 160mA 13.8Ohm DCR (рос22.28 >10003-4 дня
SL1016T-150K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 15uH 10% 1KHz 6.5A 31mOhm DCR (россы41.27 >10003-4 дня
SL1016T-151K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 150uH 10% 1KHz 1.8A 182mOhm DCR (рос26.44 заказ
SL1016T-152K-B-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 1.5mH 10% 1KHz 520mA 1.3Ohm DCR (рос21.72 >10003-4 дня
SL1016T-153K-B-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 15mH 10% 1KHz 150mA 15.6Ohm DCR (рос28.63 >10003-4 дня
SL1016T-180K-B-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 18uH 10% 1KHz 6A 39mOhm DCR (россыпь26.00 100..10003-4 дня
SL1016T-182K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 1.8mH 10% 1KHz 500mA 1.9Ohm DCR (рос18.23 100..10003-4 дня
SL1016T-220K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 22uH 10% 1KHz 5.4A 39mOhm DCR (россы25.47 100..10003-4 дня
SL1016T-221K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 220uH 10% 1KHz 1.4A 312mOhm DCR (рос26.39 заказ
SL1016T-222K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 2.2mH 10% 1KHz 450mA 2Ohm DCR (россы27.90 100..10003-4 дня
SL1016T-271K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 270uH 10% 1KHz 1.3A 320mOhm DCR (рос26.39 заказ
SL1016T-330K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 33uH 10% 1KHz 4.4A 47mOhm DCR (россы25.47 >10003-4 дня
SL1016T-331K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 330uH 10% 1KHz 1.2A 390mOhm DCR (рос26.39 >10003-4 дня
SL1016T-332K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 3.3mH 10% 1KHz 350mA 4.6Ohm DCR (рос49.88 заказ
SL1016T-391K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 390uH 10% 1KHz 1.1A 400mOhm DCR (рос26.44 >10003-4 дня
SL1016T-470K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 47uH 10% 1KHz 3.8A 53mOhm DCR (россы25.47 100..10003-4 дня
SL1016T-471K-B-N 11*18R6Индуктивности высокочастотные23.12 >10003-4 дня
SL1016T-471K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-471K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-472K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 4.7mH 10% 1KHz 300mA 5.6Ohm DCR (рос23.49 заказ
SL1016T-4R7K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 4.7uH 10% 1KHz 10A 18mOhm DCR (россы26.00 100..10003-4 дня
SL1016T-560K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-560K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-561K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 560uH 10% 1KHz 950mA 520mOhm DCR (ро26.44 >10003-4 дня
SL1016T-680K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-680K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные50.88 заказ
SL1016T-681K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные21.48 заказ
SL1016T-681K-N 13*19R6Индуктивности высокочастотные21.48 заказ
SL1016T-682K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 6.8mH 10% 1KHz 250mA 7Ohm DCR (россы34.03 заказ
SL1016T-6R8K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 6.8uH 10% 1KHz 10A 20mOhm DCR (россы25.73 >10003-4 дня
SL1016T-752K-B-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 7.5mH 10% 1KHz 240mA 7.7Ohm DCR (рос31.56 >10003-4 дня
SL1016T-822K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 8.2mH 10% 1KHz 230mA 10.4Ohm DCR (ро13.93 >10003-4 дня
SL1016T-8R2K-N 13*19CHILISINИндуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 8.2uH 10% 1KHz 10A 22mOhm DCR (россы25.56 100..10003-4 дня
SLF10145T-100M2R5-PF SMD 10.1*1TDKSMD Power Inductor L=10uH, I=3A, Rdc=36mOhm 10x10mm33.81 100..10003-4 дня
SLF10145T-101M1R0-PF SMD 10.1*1TDKSMD Power Inductor L=100uH, I=1A, Rdc=200mOhm 10x10mm40.49 >10003-4 дня
SLF10145T-102MR29-PF SMD 10.1*1TDKSMD Power Inductor L=1000uH, I=0.32A, Rdc=2800mOhm 10x10mm40.49 >10003-4 дня
SLF10145T-152MR22-PF SMD 10.1*1TDKSMD Power Inductor L=1500uH, I=0.22A, Rdc=3400mOhm 10x10mm39.67 заказ
SLF10145T-220M1R9-PF SMD 10.1*1TDKSMD Power Inductor L=22uH, I=2.1A, Rdc=59mOhm 10x10mm33.81 100..10003-4 дня
SLF10145T-221MR65-PF SMD 10.1*1TDKSMD Power Inductor L=220uH, I=0.65A, Rdc=470mOhm 10x10mm39.47 100..10003-4 дня
SLF10145T-3R3N3R7-PF SMD 10.1*1TDKSMD Power Inductor L=3.3uH, I=4.9A, Rdc=16mOhm 10x10mm41.20 100..10003-4 дня
SLF10145T-470M1R4-PF SMD 10.1*1TDKSMD Power Inductor L=47uH, I=1.4A, Rdc=100mOhm 10x10mm38.96 100..10003-4 дня
SLF10145T-471MR47-PF SMD 10.1*1TDKSMD Power Inductor L=470uH, I=0.47A, Rdc=1030mOhm 10x10mm33.81 100..10003-4 дня
SLF12565T-100M4R8-PF SMD 12.5*1TDKSMD Power Inductor L=10uH, I=5A, Rdc=20mOhm 12,5x12,5mm45.71 100..10003-4 дня
SLF12565T-101M1R6-PF SMD 12.5*1TDKSMD Power Inductor L=22uH, I=3,5A, Rdc=123mOhm 12,5x12,5mm47.11 100..10003-4 дня
SLF12565T-220M3R5-PF SMD 12.5*1TDKInd Power Shielded Wirewound 22uH 20% 100KHz 2.2A53.16 100..10003-4 дня
SLF12565T-221M1R0-PF SMD 12.5*1TDKInd Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1KHz 9.4A68.48 100..10003-4 дня
SLF12565T-330M2R8-PF SMD 12.5*1TDKSMD Power Inductor L=33uH, I=2,8A, Rdc=41mOhm 12,5x12,5mm36.81 100..10003-4 дня
SLF12565T-470M2R4-PF SMD 12.5*1TDKSMD Power Inductor L=47uH, I=2,4A, Rdc=58mOhm 12,5x12,5mm46.86 >10003-4 дня
SLF12565T-4R2N5R5-PF SMD 12.5*1TDKSMD Power Inductor L=4.2uH, I=7.3A, Rdc=15mOhm 12,5x12,5mm80.70 100..10003-4 дня
SLF12565T-680M2R0-PF SMD 12.5*1TDKSMD Power Inductor L=68uH, I=2A, Rdc=79mOhm 12,5x12,5mm44.45 1..103-4 дня
SLF6045T-100M1R6-3PF SMD 6*6*4.TDKSMD Power Inductor L=10uH, I=1.6A, Rdc=39mOhm 6x6mm34.47 100..10003-4 дня
SLF6045T-1R5N4R0-3PF SMD 6*6*4.TDKSMD Power Inductor L=1.5uH, I=4A, Rdc=16mOhm 6x6mm36.88 >10003-4 дня
SLF6045T-220M1R1-3PF SMD 6*6*4.TDKSMD Power Inductor L=22uH, I=1.1A, Rdc=82mOhm 6x6mm34.04 100..10003-4 дня
SLF6045T-3R3N2R8-3PF SMD 6*6*4.TDKSMD Power Inductor L=3,3uH, I=2.8A, Rdc=2.2mOhm 6x6mm37.05 >10003-4 дня
SLF6045T-6R8N2R0-3PF SMD 6*6*4.TDKSMD Power Inductor L=6.8uH, I=2A, Rdc=33mOhm 6x6mm25.74 100..10003-4 дня
SLH0630-100M-N SMD 6.86*6YAGEOSMD Power Inductor L=10uH, I=3A, Rdc=102mOhm21.96 10..1003-4 дня
SLH0630-1R5M-N SMD 6.86*6YAGEOSMD Power Inductor L=1.5uH, I=9A, Rdc=14mOhm14.21 >10003-4 дня
SLH0630-3R3M-N SMD 6.86*6YAGEOSMD Power Inductor L=3.3uH, I=6A, Rdc=28mOhm19.43 >10003-4 дня
SLH0630-4R7M-N SMD 6.86*6YAGEOSMD Power Inductor L=4.7uH, I=5.5A, Rdc=37mOhm21.96 заказ
SLH0630-6R8M-N SMD 6.86*6YAGEOSMD Power Inductor L=6.8uH, I=4.5A, Rdc=54mOhm21.96 заказ
SQC322520T-221K 1210YAGEOSMD Wire Wound Chip Inductor 220uH ?10%, 70mA7.02 >10003-4 дня
SRN3015-100M BOURNSInductor Power Semi-Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz 10Q-Factor Ferrite 1A 276mOhm DCR 1212 T/R10.76 100..10003-4 дня
SRN3015-4R7M BOURNSInductor Power Semi-Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz 10Q-Factor Ferrite 1.4A 136mOhm DCR 1212 T/R10.42 100..10003-4 дня
SRN8040-470M BOURNSInductor Power Semi-Shielded Wirewound 47uH 20% 100KHz 15Q-Factor Ferrite 1.4A 190mOhm DCR Tape and15.48 100..10003-4 дня
SRR0604-100ML SMD 6.5*6.BOURNS43.30 заказ
SRR0604-101KL SMD 6.5*6.BOURNS21.76 100..10003-4 дня
SRR0604-102KL SMD 6.5*6.BOURNSInd Power Shielded Wirewound; SMD; 1mH 10% 1KHz 15Q-Factor 120mA T&R26.19 100..10003-4 дня
SRR0604-151KL SMD 6.5*6.BOURNSInductor Power Shielded Wirewound 150uH 10% 1KHz 21Q-Factor Ferrite 300mA 1Ohm DCR T/R22.47 100..10003-4 дня
SRR1208-101YL BOURNSInductor Power Shielded Wirewound 100uH 15% 1KHz 15Q-Factor Ferrite 1.5A 170mOhm DCR Automotive T/R38.15 100..10003-4 дня
SRR1240-330M BOURNS41.25 заказ
SRU5028-100Y BOURNSInductor Power Shielded Wirewound 10uH 30% 100KHz 18Q-Factor Ferrite 1.8A 63mOhm DCR T/R25.42 100..10003-4 дня
TVHT-2.5-302 TALEMA2.5A/3.0mH200.97 10..1003-4 дня
UU10LF-B123 R6фильтр 12mH/2.2 Om/340 mA45.57 заказ
UU10LF-B223 R6фильтр 22mH/3.64 Om/250 mA20.57 10..1003-4 дня
UU10LF-B332 R6фильтр 3.3mH/0.71 Om/650 mA44.07 100..10003-4 дня
UU10LF-B333 R6фильтр 33mH/5.74 Om/200 mA47.20 100..10003-4 дня
UU10LF-B513 R6фильтр 51mH/9.12 Om/150 mA43.71 100..10003-4 дня
UU10LF-B682 R6фильтр 6.8mH/1.26 Om/430 mA47.20 100..10003-4 дня
VLCF4018T-4R7N1R0-2 SMD 4*4*1.TDKSMD Power Inductor L=4.7uH, I=1.07A, Rdc=101mOhm 4x4x1.8mm31.09 заказ
VLCF4028T-100M1R0-2 SMD 4*4*2.TDKSMD Power Inductor L=10uH, I=1.06A, Rdc=140mOhm 4x4x2.8mm38.74 100..10003-4 дня
VLCF4028T-101MR33-2 SMD 4*4*2.TDKSMD Power Inductor L=100uH, I=0.33A, Rdc=1000mOhm 4x4x2.8mm38.86 100..10003-4 дня
VLCF4028T-1R2N2R7-2 SMD 4*4*2.TDKSMD Power Inductor L=1.2uH, I=2.71A, Rdc=32mOhm 4x4x2.8mm37.23 100..10003-4 дня
VLCF4028T-220MR72-2 SMD 4*4*2.TDKSMD Power Inductor L=22uH, I=0.72A, Rdc=240mOhm 4x4x2.8mm37.80 100..10003-4 дня
VLCF4028T-2R2N1R9-2 SMD 4*4*2.TDKSMD Power Inductor L=2.2uH, I=1.94A, Rdc=43mOhm 4x4x2.8mm25.11 100..10003-4 дня
VLCF4028T-470MR48-2 SMD 4*4*2.TDKSMD Power Inductor L=47uH, I=0.48A, Rdc=490mOhm 4x4x2.8mm37.34 100..10003-4 дня
VLCF4028T-471MR14-2 SMD 4*4*2.TDKSMD Power Inductor L=470uH, I=0.14A, Rdc=4580mOhm 4x4x2.8mm35.03 100..10003-4 дня
VLCF4028T-4R7N1R5-2 SMD 4*4*2.TDKSMD Power Inductor L=4.7uH, I=1.57A, Rdc=62mOhm 4x4x2.8mm33.97 заказ
VLCF5028T-100M1R0-2 TDKКатушка 10uH 1.05A5.0x5.0x2.8mm34.17 заказ
VLCF5028T-150MR85-2 TDKКатушка 15uH 0.85A 5.0x5.0x2.8mm34.17 заказ
VLCF5028T-330MR62-2 SMD 5*5*2.TDK33uH 0.62A ?20% катушки постоянной индуктивности для силовых линий SMD /5.0x5.0x2.8mm/ Wound Ferrite18.69 >10003-4 дня
VLCF5028T-4R7N1R5-2 TDKКатушка 4.7uH 1.58A 5.0x5.0x2.8mm34.17 заказ
VLP6045LT-100M SMD 6.8*6.TDKSMD Power Inductor L=10uH, I=3.2A, Rdc=55mOhm 6,8x6.8mm16.73 10..1003-4 дня
VLP6045LT-1R0N SMD 6.8*6.TDKSMD Power Inductor L=1uH, I=8.6A, Rdc=13mOhm 6,8x6.8mm16.73 100..10003-4 дня
VLP6045LT-2R2N SMD 6.8*6.TDKSMD Power Inductor L=2.2uH, I=6.4A, Rdc=20mOhm 6,8x6.8mm18.27 100..10003-4 дня
VLP6045LT-470M SMD 6.8*6.TDKSMD Power Inductor L=47uH, I=1.4A, Rdc=230mOhm 6,8x6.8mm27.09 заказ
VLP8040T-100M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 10uH 20% 100KHz 3.2A24.00 100..10003-4 дня
VLP8040T-101M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 100uH 20% 100KHz 1.2A23.97 100..10003-4 дня
VLP8040T-150M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 15uH 20% 100KHz 2.9A38.86 >10003-4 дня
VLP8040T-1R0N SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1KHz 9.4A39.13 100..10003-4 дня
VLP8040T-1R5M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 1.5uH 20% 100KHz 7.8A39.13 100..10003-4 дня
VLP8040T-220M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 22uH 20% 100KHz 2.2A38.86 >10003-4 дня
VLP8040T-2R2N SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 6.7A39.13 100..10003-4 дня
VLP8040T-330M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 33uH 20% 100KHz 1.8A38.86 >10003-4 дня
VLP8040T-331M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 330uH 20% 100KHz 0.5A39.13 10..1003-4 дня
VLP8040T-3R3N SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz 5.2A39.13 100..10003-4 дня
VLP8040T-470M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 47uH 20% 100KHz 1.5A38.86 >10003-4 дня
VLP8040T-680M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 68uH 20% 100KHz 1.2A30.04 1..103-4 дня
VLP8040T-681M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 680uH 20% 100KHz 0.3A27.28 100..10003-4 дня
VLP8040T-6R8M SMD 8.6*8.TDKInd Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 100KHz 3.6A39.13 1..103-4 дня
VLS252012CX-2R2M TDKКатушка 2.2uH 1.76A ?20% 2.5x2.0x1.216.71 заказ
VLS5045EX-100M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 10uH ?20%, 2.5A17.86 100..10003-4 дня
VLS5045EX-101M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 100uH ?20%, 0.7A13.18 >10003-4 дня
VLS5045EX-150M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 15uH ?20%, 1.9A17.86 >10003-4 дня
VLS5045EX-151M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 150uH ?20%, 0.61A18.97 >10003-4 дня
VLS5045EX-1R0N SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 1uH ?30%, 5.1A17.86 100..10003-4 дня
VLS5045EX-1R5N SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 1.5uH ?30%, 5A17.86 >10003-4 дня
VLS5045EX-220M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 22uH ?20%, 1.8A17.86 >10003-4 дня
VLS5045EX-221M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 220uH ?20%, 0.45A18.97 100..10003-4 дня
VLS5045EX-2R2N SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 2.2uH ?30%, 4.7A17.86 >10003-4 дня
VLS5045EX-330M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 33uH ?20%, 1.3A17.86 >10003-4 дня
VLS5045EX-3R3N SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 3.3uH ?30%, 4.2A17.08 >10003-4 дня
VLS5045EX-470M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 47uH ?20%, 1A17.86 >10003-4 дня
VLS5045EX-4R7M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 4.7uH ?20%, 3.2A17.86 100..10003-4 дня
VLS5045EX-680M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 68uH ?20%, 0.9A17.86 >10003-4 дня
VLS5045EX-6R8M SMD 5*5*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 6.8uH ?20%, 2.9A17.86 >10003-4 дня
VLS6045EX-101M SMD 6*6*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 100uH ?20%, 0.9A18.74 >10003-4 дня
VLS6045EX-151M SMD 6*6*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 150uH ?20%, 0.7A19.67 заказ
VLS6045EX-220M SMD 6*6*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 22uH ?20%, 1.9A19.02 >10003-4 дня
VLS6045EX-221M SMD 6*6*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 220uH ?20%, 0.5A19.02 100..10003-4 дня
VLS6045EX-4R7M SMD 6*6*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 7.7uH ?20%, 4.2A18.61 100..10003-4 дня
VLS6045EX-680M SMD 6*6*4.TDKИндуктивность проволочная экранированная для силовых цепей 68uH ?20%, 1A19.28 100..10003-4 дня
ZJYS81R5-2P24T-G01 SMD 7.1*6*TDKEMC фильтр для автомобильных сигнальных линий 10MHz/500 Om DC 0.15 Om99.42 заказ
ZJYS81R5-2PL25T-G01 SMD 7.1*6*TDKEMC фильтр для автомобильных сигнальных линий 10MHz/600 Om DC 0.25 Om47.08 заказ
ДМ-0.1-125 5% ГТЗ4.77 100..10003-4 дня
ДМ-0.1-200 5% ГТЗ1.92 заказ
ДМ-0.1-500 5% ГТЗ3.65 >10003-4 дня
ДМ-0.6-16 5% ГТЗ4.77 100..10003-4 дня
ДМ-3-6 10% ГТЗ66.47 100..10003-4 дня
ДПМ-0.2-30 10% ГТЗ3.18 100..10003-4 дня
Чип инд.0805 39nH/500mA 10% 0805MURATA8.43 100..10003-4 дня
Чип инд.0805 6.8nH/600mA 10% 0805MURATA10.25 100..10003-4 дня
 
 
© ООО " ТД ПромСнабЭлектро", 2013 г.
Разработка сайта - uralmir.ru